[发明专利]能量调节装置结构无效
申请号: | 200780008125.7 | 申请日: | 2007-03-07 |
公开(公告)号: | CN101395683A | 公开(公告)日: | 2009-03-25 |
发明(设计)人: | D·J·安东尼 | 申请(专利权)人: | X2Y衰减器有限公司 |
主分类号: | H01G4/35 | 分类号: | H01G4/35 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王 勇;姜 华 |
地址: | 美国宾夕*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 能量 调节 装置 结构 | ||
相关申请的交叉引用
【0001】本申请要求申请日2006年3月7日、代理人案号 X2YA0061P-US、名称为“能量调节装置结构”的美国临时申请 60/779,455的优先权。
技术领域
【0002】本发明涉及电路的能量调节。
发明内容
【0003】本发明的目的是提供电路的能量调节。
【0004】本发明提供一种能量调节装置及其制造和使用方法。所述每一 个能量调节装置包括A、B、G导电结构的至少一个。每一个A、B和G导电 结构分别具有一个或者多个A、B和G层。A和B结构的每一层具有至少一个 接片。G导电结构的每一层具有至少两个接片。此(G导电结构的每一层的) 两个接片或者相互位于能量调节装置的同一侧面上,或者相互位于能量调节 装置的相对侧面上。如果G导电结构的层的两个接片相互位于能量调节装置 的相对侧面上,那么G层的这两个接片的其中之一也位于能量调节装置的与 A层的接片所在的同一侧面上,G层的这两个接片的其中另一个位于与B层 的接片所在的同一侧面上。如果G导电结构的层的两个接片相互位于能量调 节装置的同一侧面上,那么A层的接片和B层的接片二者位于能量调节装置 的与G层的两个接片相对的侧面。在任一实施例中,A层的接片和B层的接 片之间的层的平面距离不超过G层的两个接片之间的距离。优选地,导电结 构的层的主体为矩形。优选地,所述A、B和G接片从导电结构的层的主体 的相对较长的一侧延伸。
【0005】所述A、B和G导电结构的每一个的接片部分导电性地连接到 同一导电结构的层的接片部分。所述导电连接导致A导电结构的所有层形成 单一的导电结构,对于B和G导电结构也是这样。在分立部件的实施例中, 所述接片的外围末端连接到形成能量调节装置的外表面的部分的导电材料。 本发明人也构思了集成部件实施例。集成部件实施例包括集成电路内插器、 集成电路PC板和半导体集成电路。在所述集成实施例中,在由所述层限定 的平面内进一步延伸到其它电路的结构中形成所述A、B和G层,所述结构 包括用于内插器和PC板中的其它设备的其它触头(contact),还包括集成 电路中诸如二极管和晶体管的有源电路。在所述集成实施例中,包含导电材 料的通路使得A层之间互相电连接,B层之间互相电连接,G层之间互相电 连接。此外,在集成实施例中,A、B和G导电结构在下述的分立实施例的接 片的位置连接到集成结构的导电路径。也就是说,分立实施例的接片在集成 实施例中由引导A、B和G电极的主体的层叠的导电路径替代。为方便说明, 在以下说明书和权利要求书中的接片或者是指图中所示接片,或者是指位于 所示和描述的接片位置的集成结构的导电路径。
【0006】多个附图示出标以G、A或者B的层。G层是指形成G导电结构 的部分的一个或者多个堆叠的层。A是指形成A导电结构的部分的一个或者 多个堆叠的层。B是指形成B导电结构的部分的一个或者多个堆叠的层。每 一结构的层A、B或者G对对齐,使得该结构的层的接片的侧面边沿表面对 齐。该对齐使得沿着侧面边沿表面的导电材料可以接触A、B或者G每一导 电结构的层的所对齐的侧面边沿表面,从而可以使得每一结构仅有那些层互 相导电连接。
【0007】多个附图示出A、B和G层的层叠序列。本发明人构思了在 单个器件中的层叠中重复这些序列集合。本发明人同样构思了在单个器件 中的层叠中重复这些序列集合,其中位于所述层叠的每一端上的一个、两 个或者多个G导电层将层叠的内部层夹在中间。发明人构思了使用导电材 料导电性地连接到仅位于分立实施例的侧面表面上的一个或者多个A、B 或者G层的接片,该导电材料延伸到顶端和底部表面或者全部围绕表面延 伸以形成封闭带。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于X2Y衰减器有限公司,未经X2Y衰减器有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200780008125.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。