[发明专利]驱动器电路和使用该驱动器电路的半导体装置

权利要求书

1.一种驱动器电路，包括：

开关元件对，串联连接在接地端子和升压电压施加端子之间，所述升压电压施加端子上施加有高于电源电压的升压电压；以及

箝位元件，连接在所述开关元件对之间的节点与输出端子之间，

所述驱动器电路根据从所述开关元件对之间的节点得到的电压信号，驱动连接在所述输出端子与施加有电源电压的电源电压施加端子之间的N沟道输出晶体管，

其中

所述箝位元件按照所述节点的电压信号不高于所述输出端子的电压的预定值的方式进行箝制，

通过相互并联连接电阻和电容形成的电流限制部插入在所述开关元件对之间的节点与所述升压电压施加端子之间的电流路径、以及在所述开关元件对之间的节点与所述接地端子之间的电流路径中的至少一个电流路径中，

在所述开关元件对之间的节点与所述升压电压施加端子之间的电流路径和所述开关元件对之间的节点与所述接地端子之间的电流路径中的至少一个电流路径与所述输出端子之间，根据所述输出晶体管的导通/截止，所述电流限制部通过所述箝位元件对流过电流进行限制。

2.根据权利要求1所述的驱动器电路，其中所述箝位元件是阳极与所述输出晶体管的源极连接的齐纳二极管。

3.根据权利要求2所述的驱动器电路，其中所述开关元件对包括：第一P沟道场效应晶体管，其源极与所述升压电压施加端子连接；以及第一N沟道场效应晶体管，其源极与所述接地端子连接，并且其漏极与所述第一P沟道场效应晶体管的漏极连接。

4.根据权利要求3所述的驱动器电路，还包括：

第二P沟道场效应晶体管，其源极与所述升压电压施加端子连接；以及

第二N沟道场效应晶体管，其源极与所述输出端子连接，其漏极与所述第二P沟道场效应晶体管的漏极连接，并且其栅极与所述第一P沟道场效应晶体管和所述第一N沟道场效应晶体管之间的节点连接，

其中

所述驱动器电路输出从所述第二P沟道场效应晶体管和所述第二N沟道场效应晶体管之间的节点得到的电压信号，作为所述输出晶体管的栅极信号。

5.一种半导体装置，其中根据权利要求1到4中任一项所述的驱动器电路形成为集成电路。