[发明专利]侧面发光半导体元件和侧面发光半导体元件的制造方法无效
| 申请号： | 200780009073.5 | 申请日： | 2007-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN101401223A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 中原健 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 侧面 发光 半导体 元件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种侧面发光半导体元件，其特征在于，具备：
掺杂的Mg的浓度为5×1019cm-3以下的AlGaN层；
在包括所述AlGaN层和活性层的层叠结构的上部形成的条纹状的脊部；和
在露出所述AlGaN层的所述脊部以外的所述层叠结构的上表而形成的肖特基势垒。
2.根据权利要求1所述的侧面发光半导体元件，其特征在于：
所述脊部的上部为掺杂的Mg的浓度为1×1019cm-3以上的GaN层。
3.根据权利要求1或2所述的侧面发光半导体元件，其特征在于：
在所述肖特基势垒上的至少一部分与所述脊部上，还具备由所述Pd或Ni构成的金属层。
4.一种侧面发光半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：
在包括掺杂的Mg的浓度为5×1019cm-3以下的AlGaN层和活性层的层叠结构的上部，通过利用离子冲击的干式蚀刻形成条纹状的脊部的工序；和
在露出所述AlGaN层的所述脊部以外的所述层叠结构的上表面，通过利用离子冲击的干式蚀刻形成肖特基势垒的工序。
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