[发明专利]有机发光器件的制备方法及使用该方法制备的有机发光器件

说明书

技术领域

本发明涉及一种制备有机发光器件的方法及使用该方法制备的有 机发光器件。更具体地，本发明是关于制备一种有机发光器件的方法 及使用该方法制备的有机发光器件，在该有机发光器件的制备过程中， 即使将本征氧化层设置在由金属制成的阴极表面上，所述有机发光器 件仍具有优异的电子注入效率和器件性能。

本申请要求于2006年3月15日在美国专利商标局申请的美国临 时专利申请第60/782,287号的优先权，这里将其全部公开内容作为参 考并入本申请。

背景技术

通常，有机发光是指通过采用有机物质将电能转化成光能。应用 有机发光的有机发光器件(OLED)通常包括阳极、阴极以及设置在阳极 和阴极之间的有机材料层。为了改进有机发光器件的效率和稳定性， 使有机材料层具有由不同物质制成的多层结构。例如，有机材料层可 由空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等构 成。如果在具有上述结构的有机发光器件中的两个电极之间施加电压， 空穴会在阳极处被注入有机材料层，而电子会在阴极处被注入有机材 料层。当空穴遇到电子，就形成了激子，当激子转换到基态时就会发 光。已知有机发光器件具有如自发光、高亮度、高效率、低驱动电压、 宽视角、高对比度和快速反应的性能。

在相关领域中已知有多种类型的有机发光器件，并且它们可用于 不同的用途。有机发光器件的实例包括顶部发光OLED、底部发光 OLED和双面发光OLED。

如果在有源矩阵显示器中采用底部发光OLED，则将薄膜晶体管 (TFT)设置在发光源的前面，从而降低有效显示面积的比率(开口率)。 在制造具有许多TFT的复杂精密的显示器的情况下，这个问题是很重 要的。对于开口率小于40％的底部发光OLED，包括14＇＇级的TFT的 WXGA型显示器的估算开口率小于20％。如此小的开口率对OLED的 驱动功率消耗和寿命不利。

采用顶部发光OLED能够防止上述问题的发生。在顶部发光OLED 中，电极不与下部基板接触，也就是说，上部电极在可见光范围内实 际上是透明的。用于形成顶部发光OLED的上部电极的透明电极由如 IZO(氧化铟锌)或ITO(氧化铟锡)的导电氧化物，或者由如MgAg、Al、 Ag、Ca和CaAg的金属制成的薄膜构成。但是，与基板接触的电极通 常由金属制成。与顶部发光OLED类似，双面发光OLED包括透明的 上部电极。

图1示出了反向有机发光器件的下部部分。如图1所示，当在基 板上沉积了金属阴极之后形成顶部发光OLED时，在阴极的表面形成 了不需要的本征氧化层。具体而言，在制备有机发光器件的过程中， 当采用光刻法和蚀刻工艺在金属阴极形成图案时，金属阴极暴露于湿 气和氧气中，造成在金属电极上形成本征氧化层。

本征氧化层会降低阴极的性能，即电子注入性能，因此降低了有 机发光器件的效率和亮度。

一种防止在阴极上形成本征氧化层的方法是在沉积的阴极上原位 形成有机材料层。在该方法中，因为阴极并不暴露于空气中，所以在 阴极表面上没有形成氧化物层。但是，既进行包括阴极的TFT基板的 步骤又进行在真空下原位形成有机材料层和其它层的步骤是昂贵且困 难的。

此外，有时候原料供应商提供TFT基板，在该基板的表面上已经 分层形成了阴极，然而在沉积有机物质之前，基板暴露于空气中。在 这种情况下，就有本征氧化层形成于阴极之上的问题。因此，在相关 技术中，经常使用包括由如ITO的物质制成的阳极的TFT基板。但是， 在这种情况下，因为不能使用制备n-型TFT(在此注入电子)的常规LCD 工艺的TFT工艺线，并且包括如ITO的氧化物电极的TFT基板被用 于制备底部发光OLED，所以其不适合制备顶部发光OLED。

因此，需要开发一种即使在金属阴极上有本征氧化层仍具有改进 的电子注入性能的有机发光器件以及制备该器件的方法。

发明内容

技术问题

因此，本发明的一个目的是提供一种有机发光器件以及制备该器 件的方法，在制备该有机发光器件的过程中，即使在金属阴极上有本 征氧化层，其仍具有优异的电子注入效率和器件性能。

技术方案