[发明专利]带状离子束植入机系统的架构

权利要求书

1.一种离子植入机系统，其特征在于其包含：

带状离子束产生器，其用于产生扇型带状离子束，所述带状离子束产生器包含质量解析孔；

加速/减速平行化透镜系统，其在所述带状离子束产生器的所述质量解析孔的直接下游，所述加速/减速平行化透镜系统用于将所述扇型带状离子束至少平行化为实质上平行的带状离子束；以及

能量过滤系统，其在所述加速/减速平行化透镜系统的下游且在将由所述实质上平行的带状离子束植入的工件之前。

2.根据权利要求1所述的离子植入系统，其特征在于所述的加速/减速平行化透镜系统具有不小于25cm且不大于30cm的长度。

3.根据权利要求1所述的离子植入系统，其特征在于所述的能量过滤系统具有低至20cm的长度。

4.根据权利要求1所述的离子植入系统，其特征在于所述的加速/减速平行化透镜系统包括一组用于将所述扇型带状离子束至少平行化为所述实质上平行的带状离子束的弯曲静电板，以及一组用于使所述实质上平行的带状离子束加速或减速的加速/减速透镜。

5.根据权利要求4所述的离子植入系统，其特征在于其中所述的一组弯曲静电板亦执行所述实质上平行的带状离子束的加速或减速。

6.根据权利要求1所述的离子植入系统，其特征在于其中所述的实质上平行的带状离子束在所述工件之前具有低至200eV的能量。

7.根据权利要求1所述的离子植入系统，其特征在于其中所述的实质上平行的带状离子束实质上没有能量污染。

8.一种离子植入工件的方法，其特征在于其包含以下步骤：

输出在包含质量解析孔的带状离子束产生器内产生的扇型带状离子束；

将所述扇型带状离子束由所述带状离子束产生器的所述质量解析孔直接引导至加速/减速平行化透镜系统；

大体上同时地使所述扇型带状离子束平行化以及加速或减速为实质上平行的带状离子束；

在所述平行化步骤后立即自所述带状离子束过滤能量污染；以及

将所述实质上平行的带状离子束植入工件中。

9.一种带状离子束离子植入机系统的架构，其特征在于其包含：

加速/减速平行化透镜系统，其用于接收直接由质量解析孔来的扇型带状离子束且将所述扇型带状离子束至少平行化为实质上平行的带状离子束；以及

能量过滤系统，其在所述加速/减速平行化透镜系统的下游且在将由所述实质上平行的带状离子束植入的工件之前。

10.根据权利要求9所述的带状离子束离子植入机系统的架构，其特征在于其中所述的加速/减速平行化透镜系统具有不小于25cm且不大于30cm的长度。

11.根据权利要求9所述的带状离子束离子植入机系统的架构，其特征在于其中所述的能量过滤系统具有低至20cm的长度。

12.根据权利要求9所述的带状离子束离子植入机系统的架构，其特征在于其中所述的加速/减速平行化透镜系统包括一组用于将所述扇型带状离子束至少平行化为所述实质上平行的带状离子束的弯曲静电板，以及一组用于使所述实质上平行的带状离子束加速或减速的加速/减速透镜。

13.根据权利要求12所述的带状离子束离子植入机系统的架构，其特征在于其中所述的一组弯曲静电板亦执行所述实质上平行的带状离子束的加速或减速。

14.根据权利要求9所述的带状离子束离子植入机系统的架构，其特征在于其中所述的实质上平行的带状离子束在所述工件之前具有低至200eV的能量。

15.根据权利要求9所述的带状离子束离子植入机系统的架构，其特征在于其中所述的实质上平行的带状离子束实质上没有能量污染。