[发明专利]使用不同电压的用于非易失性存储装置的检验操作

权利要求书

1.一种用于使用非易失性存储装置的方法，其包含：

将特定电压施加到一组经连接的非易失性存储元件中的特定非易失性存储元件；

将第一电压施加到所述组中自从上一相关擦除以来已经受到一个或一个以上编 程过程的一个或一个以上非易失性存储元件，在施加所述特定电压的同时施加所述 第一电压；

将第二电压施加到所述组中自从所述上一相关擦除以来尚未受到编程过程的两 个或两个以上非易失性存储元件，在施加所述特定电压的同时施加所述第二电压， 所述第二电压不同于所述第一电压；

响应于所述特定电压的所述施加，感测与所述特定非易失性存储元件相关的状 况；

编程所述组中自从所述上一相关擦除以来尚未受到编程过程的所述两个或两个 以上非易失性存储元件；和

在所述编程之后对所述特定非易失性存储元件执行读取过程，所述感测状况的步 骤在编程所述特定非易失性存储元件的同时作为检验过程的部分予以执行，通过将 共用控制栅极电压施加到所述组中的所述一个或一个以上非易失性存储元件和所 述组中的所述两个或两个以上非易失性存储元件来执行所述读取过程。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第二电压低于所述第一电压。

3.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述特定电压是检验参考电压；

所述第一电压充分高而足以接通所述组中已经受到一个或一个以上编程过程的 所述一个或一个以上非易失性存储元件；且

所述第二电压低于所述第一电压。

4.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述组的经连接的非易失性存储元件是作为共用NAND串的部分的NAND快闪 存储器装置。

5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含：

将第三电压施加到作为所述特定非易失性存储元件的邻近者的非易失性存储元 件。

6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含：

在所述检验操作之前编程所述特定非易失性存储元件。

7.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述组中已经受到一个或一个以上编程过程的所述一个或一个以上非易失性存 储元件位于所述特定非易失性存储元件的源极侧上；且

所述组中尚未受到编程过程的所述非易失性存储元件位于所述特定非易失性存 储元件的漏极侧上。

8.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述组的经连接的非易失性存储元件是作为共用NAND串的部分的多状态 NAND快闪存储器装置。

9.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述方法包括编程所述特定非易失性存储元件；

所述感测状况是读取操作的部分，所述读取操作是在所述编程所述特定非易失性 存储元件之后但在完成编程所有所述组的经连接的非易失性存储元件之前执行的； 且

所述第二电压低于所述第一电压。

10.根据权利要求9所述的方法，其中：

所述组中已经受到一个或一个以上编程过程的所述一个或一个以上非易失性存 储元件的第一子集位于所述特定非易失性存储元件的源极侧上；

所述组中已经受到一个或一个以上编程过程的所述一个或一个以上非易失性存 储元件的第二子集位于所述特定非易失性存储元件的漏极侧上；且

所述组中尚未受到编程过程的所述非易失性存储元件位于所述特定非易失性存 储元件的所述漏极侧上。