[发明专利]用于对非易失性存储器进行非实时重新编程以实现较紧密的阈值电压分布的方法有效

专利信息
申请号: 200780009496.7 申请日: 2007-05-25
公开(公告)号: CN101405813A 公开(公告)日: 2009-04-08
发明(设计)人: 尼玛·穆赫莱斯 申请(专利权)人: 桑迪士克股份有限公司
主分类号: G11C11/56 分类号: G11C11/56;G11C16/10
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人: 刘国伟
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 非易失性存储器 进行 实时 重新 编程 实现 紧密 阈值 电压 分布 方法
【权利要求书】:

1.一种用于操作非易失性存储装置的方法,其包含:

在初始编程中经由多个字线而编程多个非易失性存储元件,所述初始编程以一字 线顺序执行,从所述多个字线的第一字线开始,且连续进行到每一下一个字线,直 到到达所述多个字线的最后字线;

在完成所述初始编程之后,经由所述多个字线而执行对所述多个非易失性存储元 件中至少一些的进一步编程,且所述进一步编程以所述初始编程的所述字线顺序来 执行,从所述第一字线开始且连续进行到每一下一个字线直到到达所述最后字线; 及

在所述进一步编程中,当不存在其它待决的较高优先级任务时,编程所述多个非 易失性存储元件的一部分,随后中止所述进一步编程以服务另一较高优先级任务, 且随后当再次不存在其它待决的较高优先级任务时,恢复所述进一步编程。

2.根据权利要求1所述的方法,其进一步包含:

当在所述初始编程中编程与所述多个字线的给定一者相关联的非易失性存储元 件时,将第一通过电压施加到所述多个字线的至少一个其它字线,且在所述进一步 编程中,当编程与所述多个字线的所述给定一者相关联的非易失性存储元件时,将 不同于所述第一通过电压的第二通过电压施加到所述至少一个其它字线。

3.根据权利要求2所述的方法,其中:

所述第二通过电压高于所述第一通过电压。

4.根据权利要求1所述的方法,其中:

在所述初始编程中,使用第一阈值电压验证电平来编程所述多个非易失性存储元 件,且在所述进一步编程中,使用第二阈值电压验证电平来编程所述多个非易失性 存储元件,所述第二阈值电压验证电平高于相应的所述第一阈值电压验证电平。

5.根据权利要求1所述的方法,其中:

对其中布置有所述多个非易失性存储元件的块执行所述初始编程及所述重新编 程,且在所述初始编程之后和所述进一步编程之前,所述块没有被擦除。

6.根据权利要求5所述的方法,其进一步包含:

存储指示针对所述块是否已完成所述初始编程的编程状态信息。

7.根据权利要求1所述的方法,其进一步包含:

在管理所述多个非易失性存储元件的编程的至少一个电路进入备用模式之后,在 不同时间处执行所述进一步编程。

8.根据权利要求1所述的方法,其进一步包含:

当不存在其它待决的较高优先级任务时,在不同时间处执行所述进一步编程。

9.根据权利要求1所述的方法,其中:

所述多个非易失性存储元件存储多个数据页,每一页可作为一单位进行编程;及 对于每一页,存储指示所述页是否已被进一步编程的编程状态信息。

10.根据权利要求1所述的方法,其中:

所述进一步编程对整数个数据页进行编程,一次一页,每一页可作为一单位进行 编程,在暂时停止之前,实施等待且随后重新开始对下一个数据页进行进一步编程。

11.根据权利要求1所述的方法,其进一步包含:

存储指示针对所述多个非易失性存储元件是否已完成所述进一步编程的编程状 态信息。

12.一种非易失性存储系统,其包含:

多个非易失性存储元件;

一个或多个电路,所述一个或多个电路在初始编程中经由多个字线而编程所述多 个非易失性存储元件,所述初始编程以一字线顺序执行,从所述多个字线的第一字 线开始,且连续进行到每一下一个字线,直到到达所述多个字线的最后字线;在完 成所述初始编程之后,经由所述多个字线而执行对所述多个非易失性存储元件中的 至少一些的进一步编程,从所述第一字线开始,且连续进行到每一下一个字线,直 到到达所述最后字线;及在所述进一步编程中,当不存在其它待决的较高优先级任 务时,所述一个或多个电路编程所述多个非易失性存储元件的一部分,随后中止所 述进一步编程以服务另一较高优先级任务,且随后当再次不存在其它待决的较高优 先级任务时,恢复所述进一步编程。

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