[发明专利]通过高剪切条件下产品形态控制制备的高清洁性二氧化硅材料无效
| 申请号： | 200780010099.1 | 申请日： | 2007-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101405218A | 公开（公告）日： | 2009-04-08 |
| 发明（设计）人： | P·D·麦克吉尔 | 申请（专利权）人： | J.M.休伯有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/12 | 分类号： | C01B33/12;A61K8/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 顾 敏 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 通过 剪切 条件下 产品 形态 控制 制备 清洁 二氧化硅 材料 | ||
1.一种同时产生硅胶和沉淀二氧化硅的方法，所述方法包括以下连续步骤：
a)将足量的碱金属硅酸盐和酸化剂混合在一起以形成硅胶组合物；
b)形成硅胶组合物之后，在高剪切条件下处理所得组合物；并
c)同时在所述步骤“b”的硅胶组合物中引入足量的碱金属硅酸盐和酸化剂以形成沉淀二氧化硅，从而产生沉淀/硅胶二氧化硅的组合。
2.根据权利要求1所述方法制备的原位产生的硅胶/沉淀二氧化硅组合，其特征在于，所述硅胶含量占所述沉淀/硅胶二氧化硅组合总体积的5-85％。
3.根据权利要求1所述方法制备的原位产生的硅胶/沉淀二氧化硅组合，其特征在于，所述组合是中值粒度3-20微米的颗粒形式。
4.一种洁牙制品，其包含如权利要求2所述的原位产生的硅胶/沉淀组合。
5.如权利要求4所述的洁牙制品，其特征在于，所述制品还包含不同于所述原位产生的硅胶/沉淀二氧化硅组合的研磨组分。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤“a”在约40-90℃的温度下进行。
7.如权利要求3所述的原位产生的硅胶/沉淀二氧化硅组合，其特征在于，所述硅胶含量占所述硅胶/沉淀二氧化硅组合总体积约5-85％。
8.一种洁牙制品，其包含如权利要求3所述的原位产生的硅胶/沉淀二氧化硅的组合。
9.如权利要求8所述的洁牙制品，其特征在于，所述制品还包含不同于所述原位产生的硅胶/沉淀二氧化硅组合的研磨组分。
10.根据权利要求6所述方法制备的原位产生的硅胶/沉淀二氧化硅组合，其特征在于，所述硅胶含量占所述硅胶/沉淀二氧化硅组合总体积的5-85％。
11.一种洁牙制品，其包含如权利要求10所述的原位产生的硅胶/沉淀二氧化硅的组合。
12.如权利要求11所述的洁牙制品，其特征在于，所述制品还包含不同于所述原位产生的硅胶/沉淀二氧化硅组合的研磨组分。
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