[发明专利]连续沉积生产线中的边缘涂布

权利要求书

1.一种连续的卷到卷沉积涂布设备，包括：

真空处理室，所述真空处理室包括在沉积区域上游的蚀刻区域；

在所述蚀刻区域中的至少一个离子辅助蚀刻器；以及

在所述沉积区域中的至少一个沉积设备，其中，所述至少一个沉积设备包括至少一个靶材，

其中，行进通过所述真空处理室时，条带基底朝向所述蚀刻区域中的所述至少一个离子辅助蚀刻器突出第一边缘区域，并且朝向所述沉积区域中的所述至少一个沉积设备的所述靶材突出所述第一边缘区域，

其中，所述条带基底的所述第一边缘区域包括从第一近端位置朝向第一远端位置成锥形的至少第一倾斜表面，所述第一近端位置比所述第一远端位置更靠近所述条带基底的中央区域，所述第一倾斜表面具有第一表面法线，并且

其中，所述至少一个沉积设备的所述靶材包括具有靶材法线的靶材表面并且相对于所述第一倾斜表面倾斜，这样使得所述靶材法线与所述第一表面法线交叉成一定角度α，其中α大于或等于90度。

2.根据权利要求1所述的连续的卷到卷沉积涂布设备，其中，α为从90度到135度。

3.根据权利要求1所述的连续的卷到卷沉积涂布设备，其中，α为约90°+tan^-1(y/d)，其中，y为顺序的条带基底之间沿竖直的y轴方向的间隔距离，并且d为所述条带基底的突出距离。

4.根据权利要求1所述的连续的卷到卷沉积涂布设备，其中，所述第一倾斜表面的所述第一远端位置与所述条带基底的边缘是同延的。

5.根据权利要求1所述的连续的卷到卷沉积涂布设备，包括在所述沉积区域中的第二沉积设备，

其中，所述第二沉积设备包括第二靶材，

其中，所述第二沉积设备沿工艺流程方向在所述至少一个沉积设备的下游，

其中，所述条带基底的所述第一边缘区域包括在所述条带基底相对于所述第一倾斜表面的相对主侧上的第二表面，以及

其中，所述第二沉积设备的所述第二靶材包括具有靶材法线的靶材表面并且相对于所述条带基底的所述第二表面倾斜，这样使得所述靶材法线与所述第二表面法线交叉成一定角度β，其中β大于或等于90度。

6.根据权利要求1所述的连续的卷到卷沉积涂布设备，其中，所述条带基底的所述第一边缘区域包括位于在所述条带基底相对于所述第一倾斜表面的相对主侧上的第二倾斜表面，其中，所述第二倾斜表面从第二近端位置朝向第二远端位置成锥形，并且其中，所述第二近端位置比所述第二远端位置更靠近所述条带基底的中央区域，所述第二倾斜表面具有第二表面法线。

7.根据权利要求6所述的连续的卷到卷沉积涂布设备，其中，所述第二倾斜表面的所述第二远端位置与所述条带基底的边缘是同延的。

8.根据权利要求6所述的连续的卷到卷沉积涂布设备，其中，所述第一倾斜表面的第一远端位置和所述第二倾斜表面的第二远端位置相接并且形成刃状物。

9.根据权利要求6所述的连续的卷到卷的沉积涂布设备，包括在所述沉积区域中的第二沉积设备，

其中，所述第二沉积设备包括第二靶材，

其中，所述第二沉积设备沿工艺流程方向在所述至少一个沉积设备的下游，以及

其中，所述第二沉积设备的所述第二靶材包括具有靶材法线的靶材表面并且相对于所述条带基底的所述第二表面倾斜，这样使得所述靶材法线与所述第二表面法线交叉成一定角度β，其中β大于或等于90度。

10.根据权利要求9所述的连续的卷到卷沉积涂布设备，其中，β为从90度到135度。

11.根据权利要求9所述的连续的卷到卷沉积涂布设备，其中，β为约90°+tan^-1(y/d)，其中，y为顺序的条带基底之间沿竖直的y轴方向的间隔距离，并且d为所述条带基底的突出距离。

12.根据权利要求9所述的连续的卷到卷沉积涂布设备，其中，α≠β。

13.根据权利要求9所述的连续的卷到卷沉积涂布设备，其中，所述第一沉积设备的所述靶材与所述第二沉积设备的所述靶材是不同材料。

14.根据权利要求9所述的连续的卷到卷沉积涂布设备，其中，所述第一沉积设备的所述靶材与所述第二沉积设备的所述靶材是相同材料。