[发明专利]改善大面积基板均匀性的方法和设备

权利要求书

1.一种在大面积基板上沉积薄膜的方法，所述方法包含：

放置基板于基板支撑件上，所述基板支撑件被装设在处理腔室的处理 凹部中，其中所述腔室包含：

内壁，具有至少一个产生磁场的特征结构，所述特征结构在处理

期间在产生于所述处理凹部中的等离子中建立非对称性；以及

扩散板，具有穿过所述扩散板设置的数个气体通道；

将处理流体流动通过所述扩散板而朝向被支撑在所述基板支撑件上的 所述基板，其中所述数个气体通道的传导性轮廓是非对称的，以使所述处 理流体的流动在靠近所述至少一个产生磁场的特征结构的所述处理凹部的 区域中增加；以及

在所述扩散板与所述基板支撑件之间建立等离子。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述至少一个产生磁场的特征结构 选自狭缝阀开口、窗口与这两者的组合。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述扩散板被非对称地延伸，以增 加流动至所述靠近所述至少一个产生磁场的特征结构的区域的处理流体 流，而获得希望的膜均匀性。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述至少一个产生磁场的特征结构 为狭缝阀开口，且所述扩散板被非对称地延伸所述扩散板的特征长度的 30-40％，以获得希望的膜均匀性。

5.如权利要求1所述的方法，其中：

所述至少一个产生磁场的特征结构为狭缝阀开口；

所述数个气体通道是多个中空阴极凹部；以及

对应于位于所述处理凹部中的所述靠近所述至少一个产生磁场的特征 结构的区域的该些中空阴极凹部被减少表面积、容积或密度，以获得希望 的膜均匀性。

6.一种在大面积基板上沉积薄膜的方法，所述方法包含：

放置基板于基板支撑件上，所述基板支撑件被装设在处理腔室的处理 凹部中，其中所述腔室包含：

内壁，具有至少一个产生磁场的特征结构，该至少一个产生磁场 的特征结构在处理期间产生于所述处理凹部中的等离子中建立非对称 性；以及

扩散板，具有贯穿所述扩散板而形成的数个气体通道；

在置放所述基板于所述基板支撑件上之后且在建立等离子之前建立中 性电流分流路径，其中所述中性电流分流路径可以实质上减少通过所述至 少一个产生磁场的特征结构的中性电流；

将处理流体流动通过所述扩散板而朝向被支撑在所述基板支撑件上的 所述基板，其中所述数个气体通道的传导性轮廓是非对称的，以使所述处 理流体的流动在靠近所述至少一个产生磁场的特征结构的所述处理凹部的 区域中增加；以及

在所述扩散板与所述基板支撑件之间建立等离子。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述至少一个产生磁场的特征结构 为所述内壁的穿孔，其中所述穿孔选自由狭缝阀开口、窗口、与其组合所 构成的群组，以及其中建立中性电流分流路径的步骤是包括将所述产生磁 场的特征结构覆盖以导电活动遮板，所述导电活动遮板实质上平行于且齐 平于所述内壁。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述导电活动遮板也为真空密封的 狭缝阀门。

9.一种用于大面积基板的等离子处理腔室，所述等离子处理腔室包 含：

内壁，界定处理凹部并具有至少一个产生磁场的特征结构，所述特征 结构在产生于所述处理凹部中的等离子中建立非对称性；

基板支撑件，具有基板支撑表面；

扩散板，具有穿过所述扩散板设置的数个气体通道，所述数个气体通 道用于在处理期间向放置在基板支撑表面上的基板提供处理流体的流动， 其中所述数个气体通道的传导性轮廓是非对称的，以使所述处理流体的流 动在靠近所述至少一个产生磁场的特征结构的所述处理凹部的区域中增 加，以在处理期间补偿在处理凹部中产生的等离子中的非对称性。

10.如权利要求9所述的等离子处理腔室，其中所述至少一个产生磁 场的特征结构选自狭缝阀开口、窗口与这两者组合。