[发明专利]GaN系半导体发光元件和灯

权利要求书

1.一种GaN系半导体半导体发光元件的制造方法，所述GaN系半导体发光元件在被赋予了凹凸形状的透光性基板上至少具有缓冲层、n型半导体层、发光层、和p型半导体层，其特征在于，通过溅射法来成膜所述缓冲层。

2.如权利要求1所述的GaN系半导体半导体发光元件的制造方法，其特征在于，使用具有摆动式磁控管磁路的装置实施所述溅射法。

3.如权利要求1或2所述的GaN系半导体半导体发光元件的制造方法，其特征在于，所述缓冲层是AlN、ZnO、Mg、Hf。

4.如权利要求1或2所述的GaN系半导体半导体发光元件的制造方法，其特征在于，所述缓冲层是AlN。

5.如权利要求1～4的任一项所述的GaN系半导体半导体发光元件的制造法，其特征在于，所述透光性基板是蓝宝石单晶。

6.如权利要求1～5的任一项所述的GaN系半导体半导体发光元件的制造方法，其特征在于，所述凸形状是圆锥台，圆锥台的高度大于圆锥台下端的直径。

7.如权利要求1～5的任一项所述的GaN系半导体半导体发光元件的制造方法，其特征在于，所述凸形状是三角锥台、四角锥台、五角锥台、六角锥台等多角锥台，多角锥台的高度大于多角锥台下端的对角线。

8.如权利要求1～5的任一项所述的GaN系半导体半导体发光元件的制造方法，其特征在于，所述凸形状是圆锥，圆锥的高度大于圆锥下端的直径。

9.如权利要求1～5的任一项所述的GaN系半导体半导体发光元件的制造方法，其特征在于，所述凸形状是三角锥、四角锥、五角锥、六角锥等多角锥，多角锥的高度大于多角锥下端的对角线。

10.如权利要求1～5的任一项所述的GaN系半导体半导体发光元件的制造方法，其特征在于，所述凸形状是圆柱时，圆柱的高度大于圆柱的直径。

11.如权利要求1～5的任一项所述的GaN系半导体半导体发光元件的制造方法，其特征在于，所述凸形状是三角柱、四角柱、五角柱、六角柱等多角柱，多角柱的高度大于多角柱的对角线。

12.如权利要求1～5的任一项所述的GaN系半导体半导体发光元件的制造方法，其特征在于，所述凹形状是圆锥台，圆锥台的深度大于圆锥台的上端直径和上面直径。

13.如权利要求1～5的任一项所述的GaN系半导体半导体发光元件的制造方法，其特征在于，所述凹形状是三角锥台、四角锥台、五角锥台、六角锥台等多角锥台，多角锥台的深度大于多角锥台上端的对角线。

14.如权利要求1～5的任一项所述的GaN系半导体半导体发光元件的制造方法，其特征在于，所述凹形状是圆锥，圆锥的深度大于圆锥上端的直径。

15.如权利要求1～5的任一项所述的GaN系半导体半导体发光元件的制造方法，其特征在于，所述凹形状是三角锥、四角锥、五角锥、六角锥等多角锥，多角锥的深度大于多角锥上端的对角线。

16.如权利要求1～5的任一项所述的GaN系半导体半导体发光元件的制造方法，其特征在于，所述凹形状是圆柱，圆柱的深度大于圆柱的直径。

17.如权利要求1～5的任一项所述的GaN系半导体半导体发光元件的制造方法，其特征在于，所述凹形状是三角柱、四角柱、五角柱、六角柱等多角柱，多角柱的深度大于多角柱的对角线。

18.如权利要求1～5的任一项所述的GaN系半导体半导体发光元件的制造方法，其特征在于，所述凹形状是条纹状的沟，沟的深度大于沟的宽度。

19.一种灯，具备通过使用权利要求1～18的任一项所述的GaN系半导体半导体发光元件的制造方法而制造出的发光元件。