[发明专利]具有并联导电层的突变金属-绝缘体转变装置

权利要求书

1.一种突变金属-绝缘体转变装置，包括：

多个导电层，其具有允许所述导电层的整个区域由于MIT而转变为金 属层的宽度，所述多个导电层并联电连接，其中电流均匀地流到所述导电 层的整个区域。

2.权利要求1所述的突变金属-绝缘体转变装置，还包括：

设置于衬底特定区域的第一电极；和

设置于与所述第一电极分开预定距离的第二电极；

其中所述导电层电连接所述第一电极和所述第二电极。

3.权利要求2所述的突变金属-绝缘体转变装置，其中所述第一电极和 所述第二电极彼此分开预定的距离，并且部分覆盖所述导电层的第一和第 二两个面。

4.权利要求2所述的突变金属-绝缘体转变装置，其中所述导电层设置 于所述第一电极和所述第二电极之间，并且所述第一电极和所述第二电极 完全覆盖所述导电层的第一和第二两个面。

5.权利要求1所述的突变金属-绝缘体转变装置，其中所述导电层包括 选自由无机化合物半导体和绝缘体、有机半导体和绝缘体、半导体、氧化 物基半导体和绝缘体构成的组的一种，其中所述无机化合物半导体包括选 自由氧、碳、来自III到V族或II到IV族中的半导电性元素、过渡金属元素、 稀土元素、镧基元素构成的组的一种。

6.权利要求2所述的突变金属-绝缘体转变装置，其中所述第一电极和 第二电极的每个包括选自由金属族、选自所述金属族的金属化合物、以及 包括来自所述金属族一种金属和所述化合物的氧化物基材料构成的组的一 种，其中所述金属族包括Li、Be、C、Na、Mg、Al、K、Ca、Sc、Ti、V、 Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、 Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Cs、Ba、La、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、 Pt、Au、Hg、Pb、Bi、Po、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、 Tm、Yb、Lu、Th、U、Np和Pu。

7.权利要求2所述的突变金属-绝缘体转变装置，还包括保护电极，其 设置于所述导电层和所述第一电极之间以及所述导电层和所述第二电极之 间，抵抗由流过所述导电层的电流产生的热量。

8.权利要求7所述的突变金属-绝缘体转变装置，其中所述保护电极包 括选自由金属族、选自金属族的金属的化合物、以及包括来自所述金属族 的一种金属和所述化合物的氧化物基材料构成的组的一种，其中所述金属 族包括Li、Be、C、Na、Mg、Al、K、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、 Ni、Cu、Zn、Ga、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、 In、Sn、Sb、Cs、Ba、La、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Pb、 Bi、Po、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、 Th、U、Np和Pu。

9.权利要求2所述的突变金属-绝缘体转变装置，还包括配置延伸跨过 所述导电层特定区域的栅电极，且夹置于所述导电层和所述栅电极之间的 栅绝缘层。

10.权利要求9所述的突变金属-绝缘体转变装置，其中所述栅绝缘层 覆盖所述导电层的至少一个表面区域。

11.权利要求9所述的突变金属-绝缘体转变装置，还包括配置延伸跨 过所述导电层特定区域的第三电极，和夹置于所述导电层和所述第三电极 之间的栅绝缘层。

12.权利要求9所述的突变金属-绝缘体转变装置，还包括配置延伸跨 过所述导电层的第三电极，和夹置于所述导电层和所述衬底之间的栅绝缘 层。

13.权利要求9所述的突变金属-绝缘体转变装置，还包括配置延伸跨 过所述导电层的第三电极，和夹置于所述导电层和所述衬底之间的栅绝缘 层。