[发明专利]对称MIM电容器设计

权利要求书

1.一种安装在半导体芯片上的电容电路组件，其包括

芯片衬底；

接近于衬底安装的至少两个电容器；

其中，每个电容器具有被介电材料隔开的第一和第二导电极板；

其中，每个第二导电极板安装得平面地接近所述衬底至足以具有大于每个第一导电极板的非本征电容的与所述衬底之间的第二极板非本征电容；

所述第一极板的一半和所述第二极板的一半通过第一端口电路而连接到第一端口，其中，第一端口具有来自于所述第二极板的一半的第一端口复合非本征电容；以及

所述第一极板的剩余的一半和所述第二极板的剩余的一半通过第二端口电路而连接到第二端口，其中，第二端口具有来自于所述第二极板的剩余的一半的第二端口复合非本征电容，第二端口复合非本征电容等于第一端口复合非本征电容；

其中，所述衬底进一步包括具有第一和第二端子的线程前端电容器，所述线程前端电容器限定衬底占地区；

其中，所述第一端口电连接到线程前端电容器结构第一端子，并且第二端口电连接到线程前端电容器结构第二端子；并且

其中，所述至少两个电容器布置在线程前端电容器占地区内的衬底上。

2.权利要求1的结构，其中，所述至少两个电容器是金属-绝缘体-金属电容器，并且所述电容电路组件位于线程后端半导体电容器电路中。

3.权利要求1的结构，其中，所述至少两个电容器是至少四个电容器。

4.权利要求3的结构，其中，所述至少四个电容器排列为平行于衬底的矩形阵列。

5.权利要求1的结构，其进一步包括布置在线程前端电容器占地区内的衬底上并具有第一和第二端子的垂直原生电容器，其中，第一端口电连接到垂直原生电容器第一端子，并且第二端口电连接到垂直原生电容器第二端子。

6.权利要求1的结构，其中，第一和第二极板中的每一个由相同的材料形成。

7.权利要求6的结构，其中，所述极板是金属或多晶硅。

8.权利要求6的结构，其中，所述介电材料具有大于4的磁导率值。

9.一种用于形成半导体芯片电容电路的方法，其包括步骤：

形成线程前端衬底结构；

接近于衬底来安装至少两个电容器，其中，每个电容器具有被介电材料隔开的第一和第二导电极板，并且其中，每个第二导电极板安装得平面地接近所述衬底至足以具有大于每个第一导电极板的非本征电容的与所述衬底之间的第二极板非本征电容；

通过第一端口电路将所述第一极板的一半和所述第二极板的一半连接到第一端口，其中，第一端口具有来自于所述第二极板的一半的第一端口复合非本征电容；

通过第二端口电路将所述第一极板的剩余的一半和所述第二极板的剩余的一半连接到第二端口，其中，第二端口具有来自于所述第二极板的剩余的一半的第二端口复合非本征电容，第二端口复合非本征电容等于第一端口复合非本征电容；

在衬底中提供具有第一和第二端子的线程前端电容器；

线程前端电容器限定衬底占地区；

将第一端口电连接到线程前端电容器结构第一端子；

将第二端口电连接到线程前端电容器结构第二端子；以及

将所述至少两个电容器布置在线程前端电容器占地区内的衬底上。

10.权利要求9方法，其中所述至少两个电容器是金属-绝缘体-金属电容器，其进一步包括将所述至少两个电容器置于线程后端半导体电容器电路中的步骤。

11.权利要求9的方法，其中，所述至少两个电容器是至少四个电容器。

12.权利要求11的方法，其进一步包括将所述至少四个电容器布置为平行于衬底的矩形阵列的步骤。

13.权利要求9的方法，其进一步包括步骤：

将垂直原生电容器布置在线程前端电容器占地区内的衬底上，该垂直原生电容器具有第一和第二端子；

将第一端口电连接到垂直原生电容器第一端子；以及

将第二端口电连接到垂直原生电容器第二端子；以及

14.权利要求9的方法，其中，第一和第二极板中的每一个由相同的材料形成。

15.权利要求14的方法，其中，所述极板是金属或多晶硅。