[发明专利]信号处理电路、电平转换器、显示板驱动电路、显示装置以及信号处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及用于显示装置的驱动器等的信号处理电路(例如电平转换器)。

背景技术

显示板的驱动器(源极驱动器)等中，使用加大从显示板外供给的信号的振幅的电平转换器。作为揭示电平转换器结构的公知文献，可列举专利文献1、专利文献2。

图22(a)是示出专利文献1揭示的电平转换器的结构的电路图。该图示出的电平转换器110配备：供给输入信号IN的IN端子、供给输入信号的反相信号INB的INB端子、输出输出信号OUT的OUT端子、供给输出信号的反相信号OUTB的OUTB端子、由P沟道MOS晶体管103(负载晶体管)和N沟道MOS晶体管104(驱动器晶体管)组成的CMOS反相器电路101、由P沟道MOS晶体管105(负载晶体管)和N沟道MOS晶体管106(驱动器晶体管)组成的CMOS反相器电路102、以及2个P沟道MOS晶体管107和108。

这里，MOS晶体管107将其源极连接到高电位侧电源(Vdd)，漏极连接到MOS晶体管103的源极，栅极连接到CMOS反相器电路102的输出。

而且，MOS晶体管108将其源极连接到高电位侧电源(Vdd)，漏极连接到MOS晶体管102的源极，栅极连接到CMOS反相器电路101的输出。

还将MOS晶体管104的源极和MOS晶体管106的源极连接到低电位侧电源(Vss)，将CMOS反相器电路101的输入与IN端子连接，将CMOS反相器电路101的输出入与OUTB端子连接，将CMOS反相器电路102的输入与INB端子连接，将CMOS反相器电路102的输出与OUT端子连接。

上述电平转换器110中，如果输入信号为例如“H”(Vcc)，并且输入反相信号INB为例如“L”(Vss)，则CMOS反相器电路101的P沟道MOS晶体管103的电流供给能力比第2CMOS反相器电路的P沟道MOS晶体管105弱，而且CMOS反相器电路101的N沟道MOS晶体管104“导通”，CMOS反相器电路102的N沟道晶体管106“阻断”，所以OUTB端子的电位低于OUT端子。其结果，P沟道MOS晶体管107供给的电流量少于P沟道MOS晶体管108供给的电流量，使OUTB端子的电位进一步降低，最后变成Vss。因而，P沟道MOS晶体管108“导通”，而P沟道MOS晶体管107“阻断”，OUT端子变成Vdd。

这样，输入信号为“H”(Vcc)的情况下，对其进行电平转换，从而输出Vdd信号(参考图22(b)、(c))。

然而，为了上述那样用输入信号“H”(Vcc)使CMOS反相器电路101的N沟道MOS晶体管104“导通”，Vcc必须高于N沟道MOS晶体管的阈值电位(Vss+N沟道MOS晶体管的阈值电压)。也就是说，专利文献1揭示的电平转换器中，不能对低于N沟道MOS晶体管的阈值电位(振幅小)的输入信号进行电平转换。

这里，专利文献2揭示能对低于N沟道MOS晶体管的阈值电位的小输入信号作电平转换的结构。专利文献2揭示的电平转换器由恒流源对振幅小的输入信号加偏压，从而进行该输入信号的电平转换。

专利文献1：日本国公开专利公报“特开昭50—151433(公开日：1975年12月5日)”

专利文献2：日本国公开专利公报“特开平11—308091号(公开日：1999年11月5日)”然而，专利文献2记载的结构由恒流源产生恒定电流，存在耗电大的问题。

又，显示装置的驱动器电路等中，除进行电平转换外，还进行闩锁动作，但将专利文献1、2记载的电平转换器用于这种驱动器电路时，必须另行准备闩锁电路。

本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于，提供一种能对振幅小的信号进行电平转换和闩锁并产生输出信号的耗电小的信号处理电路。

发明内容