[发明专利]不合并情况下的沟槽加宽

权利要求书

1.一种半导体制造方法，该半导体制造方法包括：

提供半导体结构，该半导体结构包括：

(a)半导体基板，该半导体基板包括第一半导体材料，

(b)所述半导体基板中的沟槽，其中，该沟槽包括侧壁面，

(c)电容器介电层，该电容器介电层位于所述沟槽的侧壁面上；以及

(d)半导体阻挡区，该半导体阻挡区(i)夹在，和(ii)直接物理接触于所述电容器介电层和所述半导体基板，其中，所述半导体基板和所述半导体阻挡区共用第一界面；并且，

用导电材料填充所述沟槽，以形成包括所述导电材料的导电区，

其中，所述电容器介电层(i)夹在，(ii)直接物理接触于，以及(iii)电绝缘于所述导电区和所述半导体基板，其中，所述半导体基板和所述电容器介电层共用第二界面，并且

其中，所述半导体阻挡区包括不同于所述第一半导体材料的第二半导体材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体基板、导电区以及电容器介电层形成电容器。

3.根据权利要求1或2所述的方法，

其中，所述半导体基板在第一界面处具有第一结晶取向，

其中，所述半导体基板在第二界面处具有第二结晶取向，并且

其中，所述第一结晶取向不同于所述第二结晶取向。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一结晶取向为{100}结晶取向，并且其中，所述第二结晶取向为{110}结晶取向。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述半导体基板包括硅。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述半导体阻挡区包括硅和锗的混合物。

7.一种半导体结构，该半导体结构包括：

(a)半导体基板，该半导体基板包括第一半导体材料；

(b)所述半导体基板中的导电区；

(c)电容器介电层，该电容器介电层(i)夹在，(ii)直接物理接触于，以及(iii)电绝缘于所述导电区和所述半导体基板；

(d)半导体阻挡区，该半导体阻挡区(i)夹在，和(ii)直接物理接触于所述电容器介电层和所述半导体基板，

其中，所述半导体基板和所述半导体阻挡区共用第一界面，

其中，所述半导体基板和所述电容器介电层共用第二界面，

其中，所述半导体阻挡区包括不同于所述第一半导体材料的第二半导体材料。

8.根据权利要求7所述的结构，其中，所述半导体基板、导电区以及电容器介电层形成电容器。

9.根据权利要求7或8所述的结构，

其中，所述半导体基板在第一界面处具有第一结晶取向，

其中，所述半导体基板在第二界面处具有第二结晶取向，并且

其中，所述第一结晶取向不同于所述第二结晶取向。

10.根据权利要求7或8所述的结构，其中，所述半导体基板包括硅。

11.根据权利要求7或8所述的结构，其中，所述半导体阻挡区包括硅和锗的混合物。