[发明专利]用于后CMP清洗工艺的含有防腐剂化合物的清洗溶液

权利要求书

1.一种清洗溶液，含有：

至少一种含有有机酸化合物的清洗剂；

至少一种能充分最小化或防止清洗溶液中微生物生长的防腐剂化合 物；和

至少一种胺化合物。

2.如权利要求1所述的溶液，其中所述溶液的pH是约2-7。

3.如权利要求1所述的溶液，其中所述溶液的pH不大于约5。

4.如权利要求1所述的溶液，其中至少一种清洗剂选自：柠檬酸， 草酸，酒石酸，琥珀酸，葡糖酸，苹果酸，丙二酸，马来酸，戊二酸，富 马酸，和它们的混合物。

5.如权利要求4所述的溶液，其中至少一种防腐剂化合物选自：水 杨酸，苯甲酸，抗坏血酸，甲酸，乙酸，乳酸，丙酸，和它们的混合物。

6.如权利要求1所述的溶液，其中所述溶液含有在溶液中的约2.5-25 重量％的至少一种清洗剂、在溶液中的约0.25-2.5重量％的至少一种防腐 剂化合物和在溶液中的约1.0-10重量％的至少一种有机胺化合物。

7.如权利要求1所述的溶液，其中所述溶液含有在溶液中的约 0.05-0.5重量％的在溶液中的至少一种清洗剂、在溶液中的约0.005-0.05重 量％的至少一种防腐剂化合物和在溶液中的约0.015-0.15重量％的至少一 种有机胺化合物。

8.如权利要求1所述的溶液，其中至少一种清洗剂包括柠檬酸，而 防腐剂化合物包括水杨酸。

9.如权利要求8所述的溶液，其中至少一种胺化合物包括异丙醇胺 和三乙醇胺中的至少一种。

10.如权利要求9所述的溶液，其中至少一种清洗剂含有在溶液中的 约10-15重量％的柠檬酸和约0-5重量％的酒石酸，至少一种防腐剂化合 物含有在溶液中的约0-2重量％的水杨酸，和至少一种有机胺化合物含有 在溶液中的约0-5重量％的异丙醇胺。

11.一种清洗半导体元件的方法，该方法包括：

提供一种清洗溶液，其含有：至少一种含有有机酸化合物的清洗剂； 至少一种能充分最小化或防止清洗溶液中微生物生长的防腐剂化合物；和 至少一种胺化合物；和

用清洗溶液接触半导体元件的表面。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述溶液的pH是约2-7。

13.如权利要求11所述的方法，其中所述溶液的pH不大于约5。。

14.如权利要求11所述的方法，其中至少一种清洗剂选自：柠檬酸， 草酸，酒石酸，琥珀酸，葡糖酸，苹果酸，丙二酸，马来酸，戊二酸，富 马酸，和它们的混合物。

15.如权利要求14所述的方法，其中至少一种防腐剂化合物选自：水 杨酸，苯甲酸，抗坏血酸，甲酸，乙酸，乳酸，丙酸，和它们的混合物。

16.如权利要求15所述的方法，进一步包括：

在用清洗溶液接触半导体元件的表面之前，用去离子水将清洗溶液稀 释约20-100倍，使得被稀释的清洗溶液含有在溶液中的约0.05-0.5重量％ 的至少一种清洗剂、在溶液中的约0.005-0.05重量％的至少一种防腐剂化 合物和在溶液中的约0.015-0.15重量％的至少一种有机胺化合物。

17.如权利要求11所述的方法，其中至少一种清洗剂包括柠檬酸，而 防腐剂化合物包括水杨酸。

18.如权利要求17所述的方法，其中至少一种胺化合物包括异丙醇胺 和三乙醇胺中的至少一种。

19.如权利要求18所述的方法，其中至少一种清洗剂含有在溶液中的 约10-15重量％的柠檬酸和约0-5％溶液重量的酒石酸，至少一种防腐剂化 合物含有在溶液中的约0-2重量％的水杨酸，而至少一种有机胺化合物含 有在溶液中的约0-5重量％的异丙醇胺。