[发明专利]导电薄膜及其制备方法、以及透明电磁屏蔽薄膜无效

专利信息
申请号: 200780011048.0 申请日: 2007-03-28
公开(公告)号: CN101411254A 公开(公告)日: 2009-04-15
发明(设计)人: 佐佐木博友;松本淳;山崎高康;配岛章光;藤田佳弘 申请(专利权)人: 富士胶片株式会社
主分类号: H05K9/00 分类号: H05K9/00;B32B7/02;B32B15/01;B32B15/08;G09F9/00
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 于 辉
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 导电 薄膜 及其 制备 方法 以及 透明 电磁 屏蔽
【权利要求书】:

1、一种透明电磁屏蔽薄膜,包含:

透明支撑体;以及

具有电磁屏蔽能力以及具有致黑层覆盖的表面的图案化的导电金属层,

其中,所述致黑层包含镍和锌的合金;其中镍/锌的质量比为0.5-50。

2、权利要求1所述的透明电磁屏蔽薄膜,

其中,构成所述导电金属层的金属的总量是0.2-10.0g/m2

3、权利要求1或2所述的透明电磁屏蔽薄膜,

其中,所述镍和锌的合金的总量是0.06-5.0g/m2

4、权利要求1至3任一项所述的透明电磁屏蔽薄膜,

其中,构成所述导电金属层的金属是银和/或铜。

5、权利要求4所述的透明电磁屏蔽薄膜,

其中,所述导电金属层包含0.05-2.0g/m2的银和0.2-10g/m2的铜;以及

所述致黑层包含0.06-2.0g/m2的镍和0.02-2.0g/m2的锌。

6、权利要求1至5任一项所述的透明电磁屏蔽薄膜,

其中,镍/锌的质量比为0.8-20。

7、权利要求1至6任一项所述的透明电磁屏蔽薄膜,

其中,所述导电金属层是含有银的银层和含有铜的铜层的双层结构。

8、权利要求1至7任一项所述的透明电磁屏蔽薄膜,包含0.03-0.3g/m2的选自苯并三唑、苯并三唑衍生物和巯基化合物的至少一种化合物。

9、权利要求1至8任一项所述的透明电磁屏蔽薄膜,包含明胶。

10、权利要求1至8任一项所述的透明电磁屏蔽薄膜,

其中,所述导电金属层包含:

显影的银层,通过曝光和显影在支撑体上具有含银盐层的银盐光敏材料形成,所述含银盐层含有银盐;以及

金属层,通过电镀在显影的银层上形成。

11、导电薄膜,包含:

支撑体薄膜;

形成在所述支撑体薄膜上的导电金属层;以及

形成在所述导电金属层上的致黑层,

其中,所述致黑层含有镍和锌,镍和锌的质量比满足下式(1):

Ni∶Zn=0.5∶1至50∶1(1)

12、导电薄膜的生产方法,包含

曝光和显影具有支撑体薄膜和形成在所述支撑体薄膜上的含银盐层的银盐光敏材料,以形成金属银部分的步骤;

镀覆所述金属银部分以形成镀层的镀覆步骤;以及

致黑层形成的步骤,通过使用包含镍和锌的镀液在镀层上形成具有满足下式(1)的镍和锌的质量比的致黑层:

Ni∶Zn=0.5∶1至50∶1(1)

13、权利要求12的导电薄膜的生产方法,

其中,所述致黑层是通过使用包含镍和锌的第一致黑镀液和包含镍和锌的第二致黑镀液在二个或更多个阶段形成;以及

在第一镀液中的镍的含量比大于在第二镀液中的镍的含量比。

14、权利要求13的导电薄膜的生产方法,

其中,在第一镀液中的镍和锌的含量摩尔比满足下式(2):Ni∶Zn=10∶1至100∶1(2)

15、权利要求13的导电薄膜的生产方法,

其中,在第二镀液中的镍和锌的含量摩尔比满足下式(3):Ni∶Zn=1∶1至20∶1(3)

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