[发明专利]测量和控制电压差的电路无效

专利信息
申请号: 200780011087.0 申请日: 2007-03-29
公开(公告)号: CN101410721A 公开(公告)日: 2009-04-15
发明(设计)人: T·马松;P-A·皮农斯利;L·埃斯普诺;S·勒布雷顿;M·杜尔 申请(专利权)人: E2V半导体公司
主分类号: G01R31/36 分类号: G01R31/36
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 王 英
地址: 法国圣*** 国省代码: 法国;FR
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摘要:
搜索关键词: 测量 控制 电压 电路
【权利要求书】:

1.一种电子电路,用于控制串联的一组k*N个电池,k是大于或等于1的整数,N是大于1的整数,该电子电路包括k个集成控制电路微片,每个微片都与串联的N个电池构成的一个子组相关联,其特征在于:

-每个控制微片(10)包括连接到这组N个电池最末端端子的基片,以及所述基片中形成的控制电路(CC);

-每个微片包括N个电压测量和放电控制单元(CMi),每个电压测量和放电控制单元都由相应的电池(Bi)供电,并提供该电池的电压的数字测量结果,每个单元都能够从所述控制电路接收控制命令,该控制命令命令对该电池进行部分放电,并在收到这个命令时建立与该电池并联的电流放电路径;

-除了可以选择地N个电池构成的这个子组的第一个单元以外,每个单元都在相应的阱(HVNW)中制作,该阱与所述微片的基片绝缘,并且与对应于其它单元的阱绝缘,这个阱保持与该单元有关的电池的端子之一的电位(Vi);

-每个单元与一个电压电平变换电路(HBi、BHi)相关联,从而允许逻辑电平在通过电池供电的单元和所述基片中形成的控制电路之间传输,所述电平变换电路包括在与所述单元有关的阱中形成的部分和在所述基片中形成的部分。

2.如权利要求1所述的电子控制电路,其特征在于每个单元是在所述基底中扩散的相应阱中制作的。

3.如权利要求1所述的电子电路,其特征在于:所述微片的所述基片是包括埋入的绝缘层的SOI类型的基片,其特征还在于那些阱由这一层在它们的下部以及由和所述绝缘层一样深的绝缘区在它们的周边界定。

4.如权利要求1到3之一所述的电子电路,其特征在于:所述电平变换电路包括用于降低所述逻辑信号的共模电压的部分(HBi)和用于提高所述逻辑信号的共模电压的部分(BHi)。

5.如权利要求4所述的电子电路,其特征在于:所述电平变换电路包括支持高电压的晶体管,所述晶体管包括位于绝缘栅下源极区和漏极区之间被划分成两个部分的沟道,第一部分包括N型区域和P型区域,这些区域之一包括构成所述漏极的局部表面扩散。

6.如以上权利要求中之一所述的电子电路,其特征在于:所述控制微片包括分别连接到那些电池的端子的N+1个输入端,连接到上游微片的三个连接端子以及连接到下游微片的三个连接端子,每个微片作为前一微片的从微片,并且作为后一微片的主微片,以便级联各个微片来控制每组N个电池的几组。

7.如权利要求6所述的电子电路,其特征在于:第一微片和第二微片之间的逻辑信号的传递是通过利用支持高电压的晶体管在所述两个微片的两个对应端子(MISO_B、MISO_A)之间切换电流来完成的,那些端子由所述第二微片用非常低的阻抗保持固定电位。

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