[发明专利]用于去除半导体器件中的铝终端衬垫材料的方法和结构有效
| 申请号： | 200780011329.6 | 申请日： | 2007-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN101410965A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | D·C·埃德尔斯坦;M·G·法鲁克;R·汉农;I·D·梅尔维尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/44 | 分类号： | H01L21/44;H01L23/48;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于 静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 去除 半导体器件 中的 终端 衬垫 材料 方法 结构 | ||
1.一种用于最后段制程半导体器件形成的方法，所述方法包括以下步骤：
在半导体晶片(106)的上层中形成终端铜衬垫(104)；
在所述终端铜衬垫之上形成绝缘叠层(114)；
在所述绝缘叠层的一部分内构图并开口终端过孔(116)以留下保护所述终端铜衬垫的所述绝缘叠层的底部覆层(118)；
在通过所述底部覆层(118)保护所述终端铜衬垫的情况下，在所述绝缘叠层的顶部之上形成并构图有机钝化层(126)；
在形成并构图所述有机钝化层(126)之后，去除在所述终端铜衬垫之上的所述底部覆层；
在所述有机钝化层和所述终端铜衬垫之上淀积球限制冶金叠层(128)；以及
在所述球限制冶金叠层的构图的部分上形成焊料球连接(108)。
2.根据权利要求1的方法，其中所述底部覆层包括氮掺杂的氢化碳化硅覆层。
3.根据权利要求2的方法，其中在固化所述有机钝化层之后通过化学蚀刻去除所述氮掺杂的氢化碳化硅覆层。
4.根据权利要求2的方法，其中在淀积所述球限制冶金叠层之前通过背溅射蚀刻去除所述氮掺杂的氢化碳化硅覆层。
5.根据权利要求2的方法，还包括使用有机可焊性保护剂层覆盖所述终端铜衬垫和在淀积所述球限制冶金叠层之前通过背溅射蚀刻去除所述有机可焊性保护剂层。
6.根据权利要求2的方法，还包括在所述终端过孔构图之后使用导电氧化防止阻挡层覆盖所述有机钝化层和所述终端铜衬垫以及在此后从所述有机钝化层去除部分的所述阻挡层。
7.根据权利要求1的方法，其中所述有机钝化层还包括聚酰亚胺层。
8.根据权利要求1的方法，其中所述绝缘叠层还包括氮掺杂的氢化碳化硅覆层(118)、在所述氮掺杂的氢化碳化硅覆层上淀积的氧化硅层(120)、以及在所述氧化硅层上淀积的氮化硅层(122)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
