[发明专利]第13族氮化物半导体粒子荧光体及其制造方法

权利要求书

1.一种第13族氮化物半导体粒子荧光体(10)，该第13族氮化物半导体 粒子荧光体(10)是用表面改性有机化合物(12)对纳米晶体粒子(11)进行覆盖 而形成的，所述纳米晶体粒子(11)包含第13族元素与氮原子所成的键，所 述表面改性有机化合物(12)是分子量为200～500的叔胺，且所述表面改性有 机化合物(12)包含2种以上的化合物。

2.权利要求1的第13族氮化物半导体粒子荧光体(10)，其中，所述表 面改性有机化合物(12)的氮原子配位于纳米晶体粒子(11)的第13族元素上。

3.权利要求1的第13族氮化物半导体粒子荧光体(10)，其中，纳米晶 体粒子(11)的13族元素包含2种以上的元素。

4.权利要求1的13族氮化物半导体粒子荧光体(10)，其中，纳米晶体 粒子(11)的粒径为激子玻尔半径的2倍以下。

5.一种13族氮化物半导体粒子荧光体(10)的制造方法，所述13族氮化 物半导体粒子荧光体(10)是用表面改性有机化合物(12)对包含13族元素与 氮原子所成的键的纳米晶体粒子(11)进行覆盖而形成的，

其中，通过下述步骤来控制纳米晶体粒子(11)的粒径，所述步骤是：对 至少由含有13族元素与氮元素所成的键的所述13族元素化合物、与分子 量为200～500的2种以上作为表面改性有机化合物(12)的叔胺混合而成的合 成溶液进行加热。

6.权利要求5的第13族氮化物半导体粒子荧光体(10)的制造方法，其 中，所述包含第13族元素与氮原子所成的键的第13族元素化合物为In化 合物和/或Ga化合物。

7.权利要求5的第13族氮化物半导体粒子荧光体(10)的制造方法，其 中，使用烃类作为所述合成溶液的溶剂。

8.权利要求5的第13族氮化物半导体粒子荧光体(10)的制造方法，其 中，对所述合成溶液进行加热的温度为180～500℃。

9.权利要求5的第13族氮化物半导体粒子荧光体(10)的制造方法，其 中，对所述合成溶液进行加热的合成时间为6～72小时。