[发明专利]用晶片均匀性控制进行动态计量采样

权利要求书

1.一种处理晶片的方法，包括：

接收晶片，其中，所述晶片包括多个管芯，每个管芯具有至少一个位于其他层顶部的图案化硬掩膜层；

确定用于所述晶片的计量数据，其中，所述计量数据包括用于所述晶片上至少一个硬掩膜特征的临界尺寸数据以及用于所述至少一个其他层的数据，所述计量数据是用历史数据、或测得数据、或历史数据与测得数据的组合来对于所述晶片上第一数目个测量站点确定的；

用所述计量数据创建用于所述晶片的预处理测量地图；

计算用于所述晶片的第一预处理预计地图，其中所述计算用于所述晶片的所述第一预处理预计地图的步骤利用了第一预处理方程，利用来自沿第一方向定位的两个或更多测量站点的测量数据来确定所述第一预处理方程；

计算用于所述晶片的第二预处理预计地图，其中所述计算用于所述晶片的所述第二预处理预计地图的步骤利用了第二预处理方程，利用来自沿第二方向定位的两个或更多测量站点的测量数据来确定所述第二预处理方程；

计算用于所述晶片的预处理信心地图，所述预处理信心地图包括用于所述晶片上的管芯组的信心数据组，其中，所述计算用于所述晶片的所述预处理信心地图的步骤利用了所述第一预处理预计地图与所述第二预处理预计地图之间的差异；

当用于所述晶片的第一区域中的一个或多个管芯的信心数据不在用于所述晶片的信心极限内时，确定优先级排序的测量站点；和

用新测量配方获得用于所述晶片的新计量数据，所述新测量配方包括所述优先级排序的测量站点。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

当用于全部所述管芯的信心数据在用于所述晶片的信心极限内时，计算用于所述晶片的控制设定；和

用所计算出的控制设定来处理所述晶片。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：

用用于所述晶片上至少一个硬掩膜特征的特征尺寸来确定微调值；和

用化学氧化去除处理来创建经微调的掩膜层。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括：

执行化学处理，其中，所述晶片上的暴露表面被用处理气体进行处理，其中，具有等于所述微调值的厚度的固体反应产物被形成在至少一个暴露表面上；和

执行热处理，其中，所述执行包括使所述固体反应产物挥发，从而将经过化学处理的暴露表面的至少一个表面微调所述微调值。

5.根据权利要求4所述的方法，还包括：

用所述经微调的掩膜层来刻蚀栅极材料层。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括：

用灰化处理、或湿法清洁处理、或灰化处理与湿法清洁处理的结合来对所刻蚀的栅极材料层进行清洁。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述图案化硬掩膜层被利用硬掩膜开口例程创建于至少一个其他层的顶部，所述硬掩膜开口例程包括软掩膜微调步骤、ARC刻蚀步骤、BARC刻蚀步骤、硬掩膜刻蚀步骤、或灰化步骤、或这些步骤中两个或更多个步骤的组合。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

用用于所述晶片的新计量数据创建新预处理测量地图，其中，所述新预处理测量地图包括所述优先级排序的测量站点；

计算用于所述晶片的新预处理预计地图，所述新预处理预计地图包括所述优先级排序的测量站点周围的区域；

计算用于所述晶片的新信心地图，其中，所述新信心地图是用所述第一预处理预计地图与所述第二预处理预计地图之间的差异来确定的；

当用于所述优先级排序的测量站点的测量数据不在均匀度极限内时，建立错误状况；和

当用于所述优先级排序的测量站点的所述测量数据处于所述均匀度极限内时，处理所述晶片。

9.根据权利要求2所述的方法，还包括：

当需要后处理计量数据时，在计量模块中测量所处理的晶片；

当不需要后处理计量数据时，将所处理的晶片传递到保持区域；和

接收新的晶片。