[发明专利]陶瓷器的制造方法、陶瓷器和电子部件无效
申请号: | 200780011563.9 | 申请日: | 2007-03-14 |
公开(公告)号: | CN101410345A | 公开(公告)日: | 2009-04-15 |
发明(设计)人: | 大渕武志;小田切正;井出良律 | 申请(专利权)人: | 日本碍子株式会社;双信电机株式会社 |
主分类号: | C04B35/46 | 分类号: | C04B35/46;C04B35/453 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 钟 晶 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷器 制造 方法 电子 部件 | ||
技术领域
本发明涉及一种陶瓷器的制造方法和电子部件。
背景技术
在手机等高频率电路无线机器中,作为高频率电路过滤器例如可以使用顶部过滤器,作为送信用级间过滤器、局部过滤器、受信用级间过滤器等可以使用层压型介电体过滤器。为了制造介电体层压过滤器,制造多个构成介电体的陶瓷粉体的成型体,通过对各成型体涂上一定的导体浆在各成型体上制作一定的电极图案。然后,层压各成型体制成层压体,通过烧结这个层压体,同时烧结导体浆层和各成型体使其细密化。
这时,电极一般使用银系导体、铜系导体、镍系导体这样的低融点金属导体,但是这些的融点例如是1100℃以下,甚至有降低到930℃左右的情况。因此,需要在比构成电极的低熔点金属的熔点更低的温度下来烧结介电体。
为了降低杂散电容(stray capacitance),减少延迟时间,降低内藏共振器和电容器的高频率损失,希望降低低温烧结瓷器的介电常数εr,并且增加品质系数Q。本申请人在特开2000-211969号公报中公开了具有1000℃以下的最佳烧结温度,介电常数εr为10以下,品质系数Q为2500以上的低温烧结瓷器。这个瓷器是二氧化硅-氧化铝-氧化钡系,析出强度高的钡长石相。
另外,在特开2003-12370号公报中,通过析出硅钡石相、钡长石相和方英石相,来控制瓷器烧结时的烧结收缩,防止瓷器内开裂的发生。
在特开2003-40668号公报记载的低温烧结瓷器中也公开了一种在瓷器内析出锌尖晶石结晶相、尖晶石结晶相、针状的钡长石结晶相等,高强度、热传导率、高杨式模量的低温烧结瓷器。
发明内容
但是,随着电子部件的高频率化和小型化的进行,要求进一步加强陶瓷器的断裂韧性。即使在上述这样的陶瓷器中,瓷器的断裂韧性的提高仍然有上限,要求在保持其他特性的同时,实现瓷器的断裂韧性的进一步的提高。
本发明的课题为进一步提高陶瓷器的断裂韧性。
本发明中陶瓷器的制造方法的特征为含有,相对于陶瓷粉体100重量份,添加0.5重量份以上、30重量份以下的六方晶系钡长石粉体制成混合物的工序,和在烧结所述混合物制造陶瓷器时,在所述陶瓷器内析出单斜晶钡长石的工序。
另外,本发明涉及一种以使用该制造方法制造为特征的陶瓷器。
本发明关于一种以由所述瓷器构成至少一部分为特征的电子部件。
上述的以往技术的瓷器中也在瓷器组织内析出钡长石结晶相,得到一定程度的强度提高。但是,这些钡长石相不是通过添加钡长石原料而生成的相,是通过特定的组成和制法的组合生成的相。
本发明者在制造陶瓷器时,探讨了六方晶钡长石的添加。具体地尝试了,例如,像图1模式中所示,通过预烧主相的原料使其精制,在混合粗粉碎的低融点玻璃的阶段中添加六方晶钡长石粉体,混合后烧结。
结果发现,通过在烧结前添加六方晶钡长石,再加入BaZn2Ti4O11、TiZn2O4、TiO2(金红石)和低融点玻璃,析出针状结晶的单斜晶钡长石。针状钡长石结晶由于能够阻止裂缝进展,所以能提高断裂韧性值。即,像图2模式所示,为了在瓷器组织内裂纹的扩展,需要移动针状结晶,移动所必须的能量抑制裂缝进展。
但是,用本发明的制法制成的瓷器的断裂韧性的提高,与已往的析出钡长石结晶相的瓷器中的韧性提高相比有显著的增加。在讨论这个理由时,明确了以下的事情。即,像图3(a)中模式所示,相对于原料粉体4添加针状的钡长石结晶5时,针状结晶5作为一种“刺”介于其它的结晶粉体4之间,有阻碍其它粉体4烧结进行的倾向。由于像这样降低粉体的烧结性,添加针状的钡长石结晶粉体5,像图3(b)中所示,有结晶粉体1的烧结部分受阻碍且钡长石结晶粉体6的长度也变短的倾向。由于容易产生烧结不良部分,有断裂韧性降低的倾向。进一步认为,在烧结阶段,针状的钡长石结晶折断,纵横比3以下的结晶6容易残留在瓷器中。
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