[发明专利]用于制造第Ⅲ族氮化物基化合物半导体的方法和设备有效
| 申请号： | 200780011616.7 | 申请日： | 2007-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN101415867A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 山崎史郎;岩井真;下平孝直;佐佐木孝友;森勇介;川村史朗 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社;日本碍子株式会社;国立大学法人大阪大学 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B9/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;刘继富 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制造 氮化物 化合物 半导体 方法 设备 | ||
1.一种用于制造第III族氮化物基化合物半导体的设备，所述设备包括： 反应器，所述反应器保持熔融状态的第III族金属和与所述第III族金 属不同的金属；用于加热所述反应器的加热装置；用于容纳所述反应器 和所述加热装置的外部容器；和用于将至少包含氮的气体从所述外部容 器的外部供给到所述反应器中的进料管，其特征在于，所述进料管具有 加热部分，所述加热部分通过在所述反应器的周围螺旋缠绕所述进料管形 成并通过所述加热装置与所述反应器一起被加热，其中所述加热部分在 所述外部容器内部且在所述反应器外部被加热。
2.一种用于制造第III族氮化物基化合物半导体的设备，所述设备包括： 反应器，所述反应器保持熔融状态的第III族金属和与所述第III族金 属不同的金属；用于加热所述反应器的加热装置；用于容纳所述反应器 和所述加热装置的外部容器；和用于将至少包含氮的气体从所述外部容 器的外部供给到所述反应器中的进料管，其特征在于，所述反应器在其 外周边上具有与所述进料管连接的升温元件，所述升温元件用于在将所 述至少包含氮的气体供给到处于熔融状态的第III族金属和与所述第III 族金属不同的金属之前通过所述加热装置加热穿过该升温元件的所述气 体，和其中所述升温元件具有路径扩展结构使得所述路径扩展为具有所述 反应器的高度的长度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于丰田合成株式会社;日本碍子株式会社;国立大学法人大阪大学，未经丰田合成株式会社;日本碍子株式会社;国立大学法人大阪大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200780011616.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
