[发明专利]处理数据管理系统、处理系统、以及处理装置的数据管理方法有效
申请号: | 200780011630.7 | 申请日: | 2007-03-30 |
公开(公告)号: | CN101416131A | 公开(公告)日: | 2009-04-22 |
发明(设计)人: | 小林巧 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社;HOYA磁学有限公司 |
主分类号: | G05B19/418 | 分类号: | G05B19/418;C23C14/00;C23C14/22;C23C14/34;C23C14/54;G11B5/851 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 吴丽丽 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 数据管理 系统 以及 装置 方法 | ||
技术领域
本发明涉及主要适用于高记录密度的磁盘的制造现场等的处理数据管理系统、包含该处理数据管理系统的处理系统、以及磁盘制造装置等处理装置的数据管理方法。
背景技术
近年来,磁盘的记录密度显著增大。高记录密度的磁盘是经由在基板的表面形成多个磁性层的工序而制造出的。在各磁性层下设置有基底层,并在各磁性层上设置有保护层,所以需要经由几个膜形成工序而制造出磁盘。因此,在制造磁盘时,使用排列有多个用于处理各工序的处理室的结构的处理装置。
例如,在制造1张磁盘的情况下,使磁盘(基板)依次通过多个处理室,而在处理室的每一个中实施规定的工序处理。在各处理室中,将1次工序处理设为1个周期,每当磁盘通过时重复进行相同的工序处理,向下一个处理室送出处理后的盘。然后,从终端的处理室,送出经由全部工序的磁盘。
作为这样的高记录密度的磁盘的制造装置(处理装置),主要使用溅射装置。在溅射装置中,向真空中导入放电气体,通过向电极接通电力而产生辉光放电,通过由于辉光放电而产生的等离子体中的离子碰撞,在盘的表面形成目标金属的薄膜。
在溅射装置的各处理室中,有时在1张盘的单面上进行成膜处理,有时在两面上进行成膜处理,有时在2张盘的单面上进行成膜处理,有时在2张盘的两面上进行成膜处理。例如,在1个处理室中在2张盘的各两面上同时进行成膜处理的情况下,需要装备4个用于发生放电的阴极电极,而针对各电极的每一个接通电力。
另外,在制造该种类的磁盘的情况下,保存制造工艺的历史变得重要。其原因为,在制造工艺中发生某种异常而发生不良品的情况下,可以之后追查其原因而迅速地进行修复。
在以往的磁盘的制造现场中,对工序处理的条件数据(放电条件、气压、基板温度等)进行采样,将该采样了的原始数据直接以曲线等形式显示、或保存到存储部件。然后,在发生不良品的情况下,将按照盘或批量的索引而取出的原始数据例如按照时间序列以曲线形式显示在显示器画面上,而可以观察分析曲线的波形。
图17是示意地表示以往的磁盘制造系统(处理系统)的结构的框图。
该制造系统包括:处理装置(溅射装置)10,对作为被加工物W的盘进行溅射处理;控制单元20,对处理装置10进行控制;采样单元(原始数据收集部件)30,取入溅射处理时的处理条件的原始数据(用于发生放电的电源输出、气压、基板温度等);数据保存单元(数据保存部件)40,将所收集到的数据保存到记录部件;显示·输出单元(显示部件)50,将所收集到的数据或所保存的数据根据需要以图表形式显示或输出到其他输出部件。
在处理装置10中,装备有用于进行必要的工序处理的处理室11、用于进行处理的处理单元12、用于监视处理状况的传感器13等,从处理单元12和传感器13输出的原始数据被输入到采样单元30。从传感器13和处理单元12输出的数据有时是模拟数据,有时是数字数据。原始数据在采样单元30中被适当地变换成数据保存单元40和显示·输出单元50能够取入的形式(数字数据的形式)之后,进行保存或显示·输出。
通过依次经由多个工序而进行实际的用于制造磁盘的处理,所以在处理装置10中,多个处理室11被排列成可以在盘的表面以规定的顺序形成薄膜。而且,在各处理室11中,分别针对每个周期重复进行同一工序处理。此时的处理装置10通过在保持于规定的气压氛围中的处理室11内发生放电而在盘(基板)的表面上形成磁盘用的薄膜,所以在各处理室11中,依次进行用于形成薄膜的各处理。
另外,采样单元20收集处理装置10中的处理条件的原始数据,此处,收集与多个磁盘的薄膜形成处理的处理条件相关的原始数据。例如,以一定的采样间隔收集用于发生放电的电源输出(电力、电压、电流)、处理室11的气压、盘的温度等原始数据。
另外,在这样的处理中,在各处理室11的每一个的1个工序(周期)的处理内,大多多次进行取得(采样)原始数据的动作。其原因为,为了详细观察1个周期中的各种参数的经时变化,特别对于对处理结果影响较大的参数,需要详细观察1个工序中的变化。
图18表示时序地显示如此取入的数据的曲线。在图18中横轴是时间,纵轴是放电电压等测定值。
在本例子的情况下,各结构要素对应于如下那样的具体部件。
(名称) (具体部件的例子)
处理装置 溅射装置
处理区域 箱盒(处理室11)内
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