[发明专利]具有增强灵敏度的压力传感器

权利要求书

1、一种方法，包括：

获得包括顶部和底部的衬底；

在顶部中形成扩散区；

在顶部上形成外延层使得扩散区扩展到外延层中；

形成结隔离以在扩散区的至少一个上产生至少一个晶体管区；

在晶体管区的至少一个中形成至少一个双极性晶体管，其中，每个双极性晶体管包括基极、发射极和集电极；以及

蚀刻背面以形成复合隔膜，由此同时产生晶体管和复合隔膜。

2、权利要求1的方法，其中，所述至少一个双极性晶体管中的至少一个为npn双极性晶体管。

3、权利要求1的方法，其中，所述至少一个双极性晶体管中的至少一个为pnp双极性晶体管。

4、权利要求1的方法，其中，所述衬底为p型衬底，所述外延层为n型外延层，且其中，所述扩散区为n型扩散区。

5、权利要求4的方法，其中，所述至少一个双极性晶体管中的至少一个为npn双极性晶体管，且其中，形成npn双极性晶体管包括：

形成p型材料的基极；以及

形成集电极和发射极，其中，集电极和发射极包含n型材料，且其中，发射极包含在基极内的大量n型材料。

6、权利要求4的方法，其中，所述至少一个双极性晶体管中的至少一个为pnp双极性晶体管，且其中，形成pnp双极性晶体管包括：

形成p型材料的集电极和发射极；以及

形成n型材料的基极。

7、一种方法，包括：

获得包括顶部和底部的衬底；

在顶部中形成扩散区；

在顶部上形成外延层使得扩散区扩展到外延层中；

形成至少两个引出部；

形成结隔离以在扩散区的至少一个上产生至少一个晶体管区；

形成包括本体、第一端和第二端的至少一个压敏电阻器，其中，第一端电连接于第一引出部，且第二端电连接于第二引出部；

在晶体管区的至少一个中形成至少一个双极性晶体管，其中，每个双极性晶体管包括基极、发射极和集电极；以及

蚀刻背面以形成复合隔膜，由此同时产生晶体管、压敏电阻器和复合隔膜。

8、权利要求7的方法，其中，所述至少一个双极性晶体管中的至少一个为npn双极性晶体管。

9、权利要求7的方法，其中，所述至少一个双极性晶体管中的至少一个为pnp双极性晶体管。

10、权利要求7的方法，其中，所述衬底为p型衬底，所述外延层为n型外延层，且其中，所述扩散区为n型扩散区。

11、权利要求10的方法，其中，所述至少一个双极性晶体管中的至少一个为npn双极性晶体管，且其中，形成npn双极性晶体管包括：

形成p型材料的基极；以及

形成集电极和发射极，其中，集电极和发射极包含n型材料，且其中，发射极包含在基极内的大量n型材料。

12、权利要求10的方法，其中，所述至少一个双极性晶体管中的至少一个为pnp双极性晶体管，且其中，形成pnp双极性晶体管包括：

形成p型材料的集电极和发射极；以及

形成n型材料的基极。

13、权利要求7的方法，其中，形成至少一个压敏电阻器包括，在外延层中形成p型扩散。

14、一种系统，包括：

包括顶部和底部的衬底；

在顶部上的外延层和在顶部内的扩散区，其中，扩散区延伸到外延层中；

结隔离，其包围扩散区中的至少一个以产生晶体管区；

至少一个压敏电阻器，其包括本体、第一端和第二端，其中，第一端电连接于第一引出部，第二端电连接于第二引出部；

在晶体管区的至少一个内的至少一个双极性晶体管，其中，每个双极性晶体管包括基极、发射极和集电极；以及

在背面中蚀刻的通道，用以形成复合隔膜。

15、权利要求14的系统，其中，所述至少一个双极性晶体管中的至少一个为npn双极性晶体管。

16、权利要求14的系统，其中，所述至少一个双极性晶体管中的至少一个为pnp双极性晶体管。