[发明专利]由液相形成原子层薄膜的方法

权利要求书

1.一种由液相形成原子层薄膜的方法，包括：

将偶联剂和金属离子溶液施用于衬底；以及

施用活化溶液以活化所述金属离子溶液的金属离子，从而由所述离子形成原子层厚度的金属薄膜。

2.如权利要求1所述的方法，还包括：清洗所述衬底以使所述衬底的表面官能化，带有羟基基团，所述偶联剂附着于所述羟基基团。

3.如权利要求2所述的方法，还包括：用水冲洗所述衬底。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述偶联剂为咪唑硅烷、氨丙基三甲氧基硅烷或者氨基乙基氨基聚三甲氧基硅烷衍生物中的一种。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述偶联剂为咪唑硅烷或者氨丙基三甲氧基硅烷中的一种，并且所述离子是来自铂族的离子，使得所述金属薄膜由来自铂族的金属制成。

6.如权利要求1所述的方法，其中，所述偶联剂为氨基乙基氨基聚三甲氧基硅烷衍生物，并且所述离子为钴、镍或者铜离子，使得所述金属薄膜为钴膜、镍膜或者铜膜。

7.如权利要求1所述的方法，其中，在50℃至70℃之间的温度施用所述偶联剂。

8.如权利要求1所述的方法，其中，所述活化溶液是次磷酸或者二甲胺硼烷。

9.如权利要求1所述的方法，其中，在50℃至70℃之间的温度施用所述活化溶液。

10.如权利要求1所述的方法，还包括重复以下步骤：

将偶联剂和金属离子溶液施用于所述衬底；以及

施用活化溶液以活化所述金属离子，从而由所述离子形成薄膜。

11.如权利要求1所述的方法，还包括对所述金属薄膜退火以去除所述偶联剂。

12.如权利要求11所述的方法，其中，在低于320℃的温度对所述金属薄膜退火。

13.如权利要求1所述的方法，还包括：

在所述衬底中形成沟槽；

在所述沟槽的侧壁和底部形成阻挡层，其中所述金属薄膜为形成在所述阻挡层上的金属种子层；以及

在所述种子层上镀金属结构。

14.如权利要求13所述的方法，其中，所述种子层和所述金属结构是相同金属的。

15.一种由液相形成原子层薄膜的方法，包括：

(1)交替地：

(1.1)将偶联剂和金属离子溶液施用于衬底；以及

(1.2)施用活化溶液以活化所述金属离子，从而由所述离子形成原子层厚度的金属薄膜；以及

(2)对所述金属薄膜退火以去除所述偶联剂。

16.如权利要求15所述的方法，其中，所述偶联剂为咪唑硅烷、氨丙基三甲氧基硅烷或者氨基乙基氨基聚三甲氧基硅烷衍生物中的一种。

17.如权利要求15所述的方法，其中，所述活化溶液为次磷酸或者二甲胺硼烷。

18.一种微电子结构，包括：

衬底，具有在其中形成的沟槽；

在所述沟槽的侧壁和底部形成的阻挡层；

在所述阻挡层上形成的原子层厚度的种子层；以及

在所述种子层上镀的金属结构。

19.如权利要求18所述的微电子结构，还包括处理器，所述金属结构形成所述处理器的一部分。

20.如权利要求19所述的微电子结构，其中，所述种子层和所述金属结构是相同金属的。