[发明专利]包括存储器矩阵的电路和位线噪声补偿的读取方法

说明书

技术领域

本发明涉及包括存储器矩阵的电路。

技术背景

随着位线之间的距离减小，存储器矩阵的相邻位线上的信号之间的串扰是日益突出的问题。美国专利No6,639,846描述了解决该问题的方法，所述方法包括将感测数据的位线的任一侧上的位线接地。因此，屏蔽了来自另外的位线的串扰。然而，这减少了能够并行读取的位线的数量。此外，完全的屏蔽是不可能的。

另一方法在文章中提及，该文章的题目是“Single Event Mirroring andDRAM Sense Amplifier Designs for Improved Single-Event UpsetPerformance”，由Kush Gulati、Lioyd W.Massengil和Ghasi R.Agrawal于1994年12月发表在IEEE Transactions on Nuclear Science Vol 41的2026-2034页。该文章描述了一种技术，该技术使用具有与位线耦合的输入端以及与参考存储器单元耦合的参考位线的差分读出放大器。该文章建议在感测之前，将位线连接到参考线路。该方法是在感测过程的一部分期间使用在位线和参考线路之间的电容耦合或者通过具有合适的滤波器性能(将有害的波动传送到参考线路)的滤波器实现的。该文章提到能够使用该方法减少位线间耦合噪声。然而，该方法仅部分有效，因为需要复杂的滤波器确保位线上的相关响应未传送到参考线路，或当没有发生相关响应时，仅部分时间能够使用耦合。

发明内容

本发明的其中一个目的是提供一种具有存储器的电路，其中减小了读出放大器上位线之间的串扰效应。

提供根据权利要求1所述的电路。此处，通过耦合电路，将来自第一位线的信号施加到差分读出放大器的第一输入端，所述耦合电路可以简单地由连接导体组成，或包括开关、多路复用器等。将来自参考电路的信号施加到差分读出放大器的第二输入端。与第一位线相邻的列中的存储器单元耦合的第二位线通过交叉耦合电路与参考电路耦合，所述交叉耦合电路可以简单地包括连接导体，或包括开关、多路复用器等，使得第二位线上的位线信号值影响参考输出端上的参考信号值。选择耦合的大小，以使在参考信号上的效应至少在第一位线上部分地复制第二位线的串扰效应。因此，减少感测上的串扰效应。优选地，为存储器矩阵配置多个这种读出放大器和参考电路的组合以并行地感测不同位线。

在一个实施例中，配置交叉耦合电路以将第一位线的两侧相邻的位线耦合到参考电路。因此，减少了感测时来自两侧的串扰效应。在另一实施例中，也将非相邻位线耦合到参考电路以减少该位线上信号值的相关性。

参考信号适配(adaptation)的这种形式对于具有存储器单元的存储器是尤其有益的，所述存储器单元存储表示n进制(n>2)数字值的模拟值。通过这种方法，不同值之间的更好分辨是可能的。例如，这可以应用到诸如闪存之类的非易失性存储器。

附图说明

参考附图，从示例实施例的下面描述中，这些和其它目的以及有益方面将变得显而易见。

图1示出了具有存储器矩阵的电路的一部分；

图1a示出了参考电路；

图2示出了检测电路；

图3示出了读出放大器和参考电路的一个实施例；

图4示出了电路的一部分。

具体实施方式

图1示出了具有存储器矩阵10的电路，所述存储器矩阵10包括多个存储器单元的列100。对于每一个列100，电路包括各自的位线12、差分读出放大器14及参考电路15。对于每一个列100，列100的位线12是与列100中的存储器单元耦合的导体。对于每一个列100，用于列100的差分读出放大器14具有与列100的位线12耦合的第一输入端和与用于列100的参考电路15的输出端耦合的第二输入端。对于每一个列100，用于列100的参考电路15的输入端与用于相邻列100(或者在列位于矩阵的边缘处情况下的列)的位线12耦合。

图1a示出了包括核心参考电路16(它不依赖于位线上的信号)和将核心参考电路16的输出端与相邻位线(未示出)耦合的电阻性元件18的参考电路15的一个实施例。应该理解的是该参考电路仅为一个实施例。在其它实施例中，需要配置更多分离的核心参考电路。