[发明专利]场效应晶体管

权利要求书

1.一种场效应晶体管，其包括：

由In_yGa_1-yN构成的沟道层，其中0≤y≤1；

由Al_xGa_1-xN构成的载流子供应层，所述载流子供应层提供在所述沟道层的上方并且包括至少一个p型层，其中0＜x≤1；以及

源电极、漏电极和栅电极，所述源电极、漏电极和栅电极被设置成通过所述p型层面向所述沟道层，并提供在所述载流子供应层的上方，

其中，满足下面的关系表达式：

[数学公式1]

5.6×10¹¹x＜N_A×η×t[cm^-2]＜5.6×10¹³x，

其中，x表示所述载流子供应层的Al组分比例，t表示所述p型层的厚度，N_A表示所述p型层的杂质浓度，以及η表示所述p型层的活化比率。

2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其满足下面的关系表达式：

[数学公式2]

5.6×10¹¹x＜N_A×η×t[cm^-2]＜2.8×10¹³x。

3.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中：

所述栅电极与所述源电极和所述漏电极一起被提供在相同的平面上。

4.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述场效应晶体管具有负阈值电压。

5.一种场效应晶体管，其包括：

由In_yGa_1-yN构成的沟道层，其中形成二维电子气，其中0≤y≤1；

由Al_xGa_1-xN构成的载流子供应层，所述载流子供应层提供在所述沟道层的上方并且包括至少一个p型层，其中0≤x≤1；以及

源电极、漏电极和栅电极，所述源电极、漏电极和栅电极被设置成通过所述p型层面向所述沟道层，并提供在所述载流子供应层的上方，其中：

满足下面的表达式：

x_a＜x₁，

其中，x_a表示与栅电极交界处的所述载流子供应层的Al组分比例，以及x₁表示所述载流子供应层的交界处的Al组分比例，所述交界位于所述载流子供应层和所述沟道层之间；以及

满足下面的表达式：

[数学公式3]

5.6×10¹¹x₁＜N_A×η×t[cm^-2]+5.6×10¹³(x₁-x_a)＜5.6×10¹³x₁，

其中，x_a表示Al组分比例，t表示所述p型层的厚度，N_A表示所述p型层的杂质浓度，以及η表示所述p型层的活化比率。

6.根据权利要求5所述的场效应晶体管，其满足下面的关系表达式：

[数学公式4]

5.6×10¹¹x₁＜N_A×η×t[cm^-2]+5.6×10¹³(x₁-x_a)＜2.8×10¹³x₁。