[发明专利]包含电阻切换氧化物或氮化物及抗熔丝的非易失性可重写存储器单元

权利要求书

1.一种用于编程非易失性存储器单元的方法，其中所述单元包含介电熔断抗熔丝及电 阻切换存储器元件，所述电阻切换存储器元件包含电阻切换金属氧化物或氮化物化 合物的层，所述金属氧化物或氮化物化合物仅包括一种金属，所述方法包含：

施加预调节脉冲，其中所述预调节脉冲是用以熔断所述介电熔断抗熔丝，形成穿 过所述介电熔断抗熔丝的低电阻熔断区，且其中所述预调节脉冲是用以在所述电阻 切换金属氧化物或氮化物化合物的层中形成切换区，将所述切换区置于低电阻设置 状态下。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含在施加所述预调节脉冲之后，施加第一 重设脉冲以将所述切换区置于高电阻重设状态下。

3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包含在施加所述第一重设脉冲之后，施加第 一编程设置脉冲以将所述切换区置于编程设置状态下，其中在所述切换区的电阻状 态中存储所述存储器单元的第一数据状态。

4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包含在施加所述第一编程设置脉冲之后，施 加第一编程重设脉冲以将所述切换区置于编程重设状态下，其中在所述切换区的所 述电阻状态中存储所述存储器单元的第二数据状态。