[发明专利]用于薄膜电容器制作的溶胶-凝胶及掩模图案化,由此制作的薄膜电容器,以及含有薄膜电容器的系统有效

专利信息
申请号: 200780012269.X 申请日: 2007-03-31
公开(公告)号: CN101416258A 公开(公告)日: 2009-04-22
发明(设计)人: H·佘;Y·闵;C·A·帕拉杜斯 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01G4/33 分类号: H01G4/33;H01G4/12
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 柯广华;张志醒
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 薄膜 电容器 制作 溶胶 凝胶 图案 由此 以及 含有 系统
【权利要求书】:

1.一种形成薄膜电容器的方法,包括:

在第一电极上图案化掩模;

在所述第一电极和所述掩模上形成绿色介电膜;

剥离所述掩模以获得正图案绿色介电膜;以及

在剥离所述掩模之后,烧结所述正图案绿色介电膜以获得已烧结的电介质。

2.如权利要求1所述的形成薄膜电容器的方法,在剥离所述掩模之前,所述方法包括初步固化所述绿色介电膜以使得所述绿色介电膜变得在室温下不可流动。

3.如权利要求1所述的形成薄膜电容器的方法,在剥离所述掩模之前,所述方法包括初步固化所述绿色介电膜,其中所述绿色介电膜通过溶胶-凝胶工艺形成,以及其中初步固化在从50℃至150℃的范围内的温度下进行。

4.如权利要求1所述的形成薄膜电容器的方法,其中,剥离所述掩模包括湿法溶解所述掩模。

5.如权利要求1所述的形成薄膜电容器的方法,其中,剥离所述掩模包括蒸汽溶胀所述掩模。

6.如权利要求1所述的形成薄膜电容器的方法,其中,烧结在从700℃至900℃的温度范围内进行。

7.如权利要求1所述的形成薄膜电容器的方法,其中,烧结在从700℃至900℃的温度范围内并且在无反应性气氛中进行。

8.如权利要求1所述的形成薄膜电容器的方法,其中,烧结在从700℃至900℃的温度范围内并且在真空中进行。

9.如权利要求1所述的形成薄膜电容器的方法,还包括:

在剥离所述掩模之前,初步固化所述绿色介电膜以使得所述绿色介电膜变得在室温下不可流动,其中初步固化在从50℃至150℃的温度范围内进行;

其中烧结在从700℃至900℃的温度范围内并且在无反应性气氛中进行,其中所述无反应性气氛是无反应性气体、气氛减压的气体或真空;以及

给已烧结的介电膜配上第二电极。

10.如权利要求1所述的形成薄膜电容器的方法,还包括在所述第一电极之上形成第二电极,其中所述正图案设置于第一和第二电极之间且与所述第一和第二电极邻接。

11.一种形成薄膜电容器的方法,包括:

在第一电极上图案化掩模;

在所述第一电极和所述掩模上形成溶胶-凝胶钛酸盐绿色介电膜,其中形成是选自浸渍、喷涂以及旋涂;

在从50℃至150℃的温度范围内初步固化所述溶胶-凝胶钛酸盐绿色介电膜以使得所述溶胶-凝胶钛酸盐绿色介电膜变得在室温下不可流动从而获得已初步固化的介电膜;

在初步固化之后,剥离所述掩模以获得正图案介电膜,其中剥离所述掩模是从液体剥离、蒸汽溶胀及其结合中选择的;

在剥离所述掩模之后,二次烧结所述溶胶-凝胶钛酸盐绿色介电膜以获得已烧结的钛酸盐介电膜;以及

给所述已烧结的钛酸盐介电膜配上第二电极以获得薄膜电容器,其中所述已烧结的钛酸盐介电膜在所述第一电极上方及其上以及在所述第二电极下方及其上。

12.如权利要求11所述的形成薄膜电容器的方法,还包括与从微电子管芯、安装衬底以及基板中选择的结构组装在一起。

13.如权利要求11所述的形成薄膜电容器的方法,其中,烧结在从700℃至900℃的温度范围内并且在无反应性气氛中进行,其中所述无反应性气氛是无反应性气体、气氛减压的气体或真空。

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