[发明专利]显示装置的驱动电路和数据信号线驱动电路以及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及用于显示装置的驱动电路的、在模拟电路的后级连接数字电路的电路结构。 

背景技术

使用多晶硅制造将液晶面板的驱动电路与该液晶面板一体形成的液晶显示装置。多晶硅薄膜晶体管由于其阈值电压大于使用单晶硅的晶体管，因此在使用多晶硅的液晶面板中，一般在对提供给驱动电路的信号的电压进行电平移动后，来驱动多晶硅薄膜晶体管。 

专利文献1中记载了进行这样的电平移动的液晶显示装置。图11的液晶显示装置是在该文献中作为已有技术所述的液晶显示装置。 

在该图的液晶显示装置中，从数据信号线驱动电路SD的外部提供的时钟信号cks以及起始信号sps的5V的振幅利用电平移动器LS升压至15V，在提供给移位寄存器电路105。据此，从移位寄存器105的各闩锁电路SR依次输出信号n1、n2、……。信号n1、n2、……经过与非电路或反相器等，成为取样电路(模拟开关)AS的控制信号。取样电路AS利用该控制信号对提供给数据信号线驱动电路SD的数据dat进行取样，以点依次方式提供给数据信号线SL1、SL2、……。 

另外，所述专利文献1中揭示了图12所示的扫描信号线驱动电路GD。在该图的扫描信号线驱动电路GD中，从外部提供的起始信号spg、/spg的5V的振幅利用电平移动器LS1升压至16V，再输入至移位寄存器电路128的闩锁电路LS-SR；除此之外从外部提供的脉冲宽度控制信号gps、/gps的5V的振幅利用电平移动器LS2升压至16V，再输入至扫描信号线驱动电路GD内部的逻辑电路的或非电路130、131、……。在该扫描信号线驱动电路GD中，各闩锁电路LS-SR的输出信号/n1、/n2、……通过所述逻辑电路成为扫描信号gl1、 g12，输出至扫描信号线GL1、GL2、……。 

专利文献1：日本专利特开2000—187461号公报(2000年7月4日公开) 

发明内容

然而，在上述以往的液晶显示装置中存在以下的问题。 

在所述图11以及图12的结构中，输入了作为模拟电路的电平移动器电路的输出信号的数字电路由于是CMOS逻辑的结构，因此在电平移动器电路的输出电压的上升或者下降中有迟钝、而缓慢地达到最终值时，作为其输入级的p沟道型MOS(金属氧化物)晶体管和n沟道型MOS晶体管同时导通的期间变长，流有较大的贯通电流。即如图13所示，若在电平移动器电路后级的数字电路中，含有由同时输入电平移动器电路的输出电压的p沟道型MOS晶体管151和n沟道型MOS晶体管152构成的相当于CMOS反相器的结构，则因缓慢变化的来自电平移动器电路的输入电压的作用而两个晶体管同时导通的期间变长，从电源VDD向电源VSS流有较大的贯通电流。 

此时，电源VDD和MOS晶体管151之间、电源VSS和MOS晶体管152之间配置有其他的MOS晶体管，在它们导通的状态下，即使输入变化缓慢的电压，对流有较大的贯通电流这一事实也不会改变。所以，即使在上述图11和上述图12的结构中，只要在输入电平移动器电路的输出电压的输入级中含有相当于CMOS反相器的结构，就会流有较大的贯通电流。 

由于这样的情况，因而数字电路中流有贯通电流，所以存在液晶显示装置的驱动电路的耗电量变大的问题。 

于是，研究了电平移动器电路的输入电压的振幅与输出电压的上升时间或者下降时间之间的关系。 

图14的电平移动器电路200是使用6个MOS晶体管的所谓6晶体管电平移动器电路。 

电平移动器电路200具备p沟道型的MOS晶体管201～204以及n沟道型的MOS晶体管205、206。MOS晶体管201的源极与电源VDD连接，MOS晶体管201的漏极与MOS晶体管203的源极连接。MOS晶体管201的栅极与MOS晶体管204的漏极和MOS晶体管206的漏极的连接点、即电平移动器电 路200的输出端子OUT连接。MOS晶体管202的源极与电源VDD连接，MOS晶体管202的漏极与MOS晶体管204的源极连接。MOS晶体管202的栅极与MOS晶体管203的漏极和MOS晶体管205的漏极的连接点、即电平移动器电路200的反相输出端子OUTB连接。 

MOS晶体管205的源极和MOS晶体管206的源极与电源VSS连接。MOS晶体管203的栅极与MOS晶体管205的栅极互相连接，该连接点成为电平移动器电路200的输入端子IN。MOS晶体管204的栅极与MOS晶体管206的栅极互相连接，该连接点成为电平移动器电路200的反相输入端子INB。