[发明专利]多重铁性层、含该层的结构，及形成该层及该结构的方法有效
| 申请号： | 200780012344.2 | 申请日： | 2007-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN101416314A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 卢泰元;尹钟杰;李桢赫 | 申请（专利权）人： | 首尔大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;李丙林 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多重 铁性层 结构 形成 方法 | ||
1.式(1)表示的材料作为一种多重铁性层的用途，
RMnO3...(1)
其中R代表镧系元素，该材料具有不同于体相斜方晶体 结构的六方晶体结构。
2.如权利要求1所述的用途，其中R代表La、Pr、Nd、Sm或 Eu；
其中该材料在体相为斜方晶体结构的情况下不具有多重 铁性；且
其中该材料在具有六方晶体结构的情况下具有多重铁 性。
3.如权利要求1所述的用途，其中R代表Gd、Tb或Dy，相比 于该材料在体相为斜方晶体结构的情况，该材料在具有六方晶 体结构情况下具有较高的铁电相变温度。
4.如权利要求1所述的用途，其中R代表Gd、Tb或Dy，相比 于该材料在体相为斜方晶体结构的情况，该材料在具有六方晶 体结构的情况下具有较高的残留极化值。
5.如权利要求1所述的用途，其中该材料具有反铁电性。
6.一种包含导电层以及形成在该导电层上的多重铁性层的结构， 其中该多重铁性材料由式(1)表示，
RMnO3...(1)
其中R代表镧系元素，该材料具有不同于体相斜方晶体结构 的六方晶体结构，且该导电层具有不同于材料体相斜方表层结 构的六方表层结构。
7.如权利要求6所述的结构，其中该导电层包含至少一种选自 钌、锇、铱、铂、钛、氮化钛、金、氧化铱和锶钌氧化物组成 的群的导电材料。
8.如权利要求7所述的结构，其中该导电材料包含铂。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
