[发明专利]半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件和具备该元件的灯

权利要求书

1.一种半导体发光元件的制造方法，是制造在基板上层叠有n型半 导体层、发光层和p型半导体层，在p型半导体层上层叠有透光性正极， 同时在该透光性正极上设有正极焊盘，在所述n型半导体层上设有负极焊 盘的半导体发光元件的方法，其特征在于，在氧按0.01原子％～10原子 ％的范围少于化学计量组成的状态下在所述p型半导体层上形成透光性氧 化物导电材料的透光性正极后，在含氧气氛中进行退火处理，然后在无氧 气氛中进行再退火处理。

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于， 由氮化镓系化合物半导体构成所述半导体层。

3.根据权利要求1或2所述的半导体发光元件的制造方法，其特征 在于，使所述退火处理以前的成膜后的原有状态的所述透光性正极的透射 率为80％～90％的范围，通过所述退火处理使透射率提高，然后在无氧气 氛中进行再退火处理。

4.根据权利要求1～3的任一项所述的半导体发光元件的制造方法， 其特征在于，通过所述再退火处理来降低所述透光性正极的薄膜电阻。

5.根据权利要求1～4的任一项所述的半导体发光元件的制造方法， 其特征在于，在所述p型半导体层上面的大致整个面上形成所述透光性正 极。

6.根据权利要求1～5的任一项所述的半导体发光元件的制造方法， 其特征在于，在250℃～600℃的温度范围进行所述退火处理。

7.根据权利要求1～6的任一项所述的半导体发光元件的制造方法， 其特征在于，在N₂气气氛中在200℃～500℃的温度范围进行所述再退火 处理。

8.根据权利要求1～7的任一项所述的半导体发光元件的制造方法， 其特征在于，通过对所述的氧少于化学计量组成的透光性正极实施所述退 火处理和再退火处理，而使所述透光性正极的薄膜电阻为20Ω/□以下。

9.根据权利要求1～8的任一项所述的半导体发光元件的制造方法， 其特征在于，作为构成所述透光性正极的透光性氧化物导电材料，选择包 含ITO(In₂O₃-SnO₂)、AZnO(ZnO-Al₂O₃)、IZnO(In₂O₃-ZnO)、 GZO(ZnO-Ga₂O₃)的至少一种。

10.一种半导体发光元件，其特征在于，是采用权利要求1～9的任 一项所述的半导体发光元件的制造方法得到的。

11.一种灯，其特征在于，具备权利要求10所述的半导体发光元件。

12.一种氮化镓系化合物半导体发光元件，是在基板上层叠有由氮 化镓系化合物半导体形成的n型半导体层、发光层和p型半导体层，在p 型半导体层上层叠有透光性正极，同时在该透光性正极上设有正极焊盘， 在n型半导体层上设有负极焊盘的氮化镓系化合物半导体发光元件，其特 征在于，所述透光性正极的薄膜电阻为20Ω/□以下；

所述透光性正极是通过在含氧气氛中进行的初期退火处理和在无氧 气氛中进行的再退火处理而使在所述p型半导体层上形成的氧按0.01原子 ％～10原子％的范围少于化学计量组成的状态的透光性氧化物导电材料 的透光性正极的薄膜电阻为20Ω/□以下而成的。

13.一种灯，其特征在于，具备权利要求12所述的氮化镓系化合物 半导体发光元件。