[发明专利]光学记录材料、查耳酮型化合物以及金属络合物有效
申请号: | 200780012820.0 | 申请日: | 2007-04-24 |
公开(公告)号: | CN101421116A | 公开(公告)日: | 2009-04-29 |
发明(设计)人: | 矢野亨;青山洋平 | 申请(专利权)人: | 株式会社艾迪科 |
主分类号: | B41M5/26 | 分类号: | B41M5/26;G11B7/244 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 张 楠;陈建全 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 记录 材料 查耳酮型 化合物 以及 金属 络合物 | ||
技术领域
本发明涉及通过利用激光等将信息提供为信息图案的形式来进行记录的光学记录介质中使用的光学记录材料,详细地说,本发明涉及光学记录材料以及适合该光学记录材料的新型查耳酮型化合物和以该化合物作为配位基的新型金属络合物,该光学记录材料用于利用具有紫外和可见区域波长且低能量的激光等可以高密度的光学记录和再生的光学记录介质中。
背景技术
光学记录介质一般都具有记录容量大、记录和再生以非接触的方式进行等优异的特征,因而得到广泛普及。WORM、CD-R、DVD±R等追加记录型光盘是将激光聚集在记录层的极小面积上并改变光学记录层的性质状态来进行记录,并根据记录部分与未记录部分的反射光量的不同来进行再生。
目前,在上述光盘中,用于记录和再生的半导体激光的波长为:对CD-R而言为750~830nm,对DVD-R而言为620nm~690nm,为了实现容量的进一步增加,对使用短波长激光的光盘进行了研究,例如正在研究使用380~420nm的光作为记录光。
在短波长记录光用光学记录介质中,可以使用各种化合物来形成光学记录层。例如,在专利文献1中报道了含有以查耳酮型化合物作为配位基的金属络合物的光信息记录介质;在专利文献2中报道了含有特定的查耳酮型化合物的光记录介质;但是这些光学记录介质中使用的化合物作为形成光学记录层所使用的光学记录材料时,其吸收波长特性未必合适。
另外,专利文献3中报道了衣料使用的光吸收剂,作为适合作为光吸收剂使用的化合物的例子,例示了具有查耳酮型结构的有机色素化合物,但是并没有记载也没有教导将具有该查耳酮型结构的有机色素化合物用于光学记录材料中。
专利文献1:日本特开2003-11511号公报
专利文献2:日本特开2004-306306号公报
专利文献3:日本特开2000-328039号公报
发明内容
因此,本发明的目的在于提供一种光学记录材料以及适合该光学记录材料的新型化合物,该光学记录材料适合形成短波长记录光用的光学记录介质的光学记录层。
本发明人经过认真研究,结果发现特定的查耳酮型化合物以及以该查耳酮型化合物作为配位基的特定金属络合物适合形成光学记录介质的光学记录层,该光学记录介质利用短波长记录光、特别是320nm~420nm的激光来进行记录和再生。
本发明是基于上述认识而提出的,通过提供一种光学记录材料来实现上述目的,该光学记录材料含有至少一种下述通式(I)表示的查耳酮型化合物。
(式中,n是0或1,环A和环B各自独立地表示五元环或六元环的杂环、芳香环或金属茂结构。上述杂环和上述芳香环可以与其它环稠合,也可以被取代。)
另外,本发明还通过提供一种光学记录材料来实现上述目的,该光学记录材料含有使用上述通式(I)表示的查耳酮型化合物作为配位基的金属络合物。
另外,本发明还提供一种光学记录介质来实现上述目的,该光学记录介质的特征在于:在基体上具有由上述光学记录材料形成的光学记录层。
另外,本发明还提供作为上述光学记录材料合适的下述通式(III)表示的查耳酮型化合物。
另外,本发明还提供适合作为上述光学记录材料的下述通式(VI)表示的金属络合物。
具体实施方式
以下,基于优选的实施方案,对含有至少一种上述通式(I)表示的查耳酮型化合物而形成的本发明的光学记录材料、含有使用上述查耳酮型化合物作为配位基的金属络合物而形成的本发明的光学记录材料(以下,有时也将二者合并称为本发明的光学记录材料)、本发明的光学记录介质、本发明的新型查耳酮型化合物以及新型金属络合物进行详细说明。另外,本发明的查耳酮型化合物以及以其作为配位基的金属络合物可能存在对映异构体、非对映异构体或外消旋体等光学异构体,在本发明的光学记录材料中,可以单独分离使用这些任何的光学异构体,或者也可以使用它们的混合物。下文中,如果没有特别的指出,在本发明中并不区分这些光学异构体。
首先,对上述通式(I)表示的查耳酮型化合物进行说明。
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