[发明专利]包括对低介电常数材料进行非原位背侧聚合物去除的等离子体电介质蚀刻处理

权利要求书

1.一种等离子体蚀刻处理，包括：

提供具有多孔掺杂碳二氧化硅电介质层的工件；

在所述工件的表面上限定光刻胶；

在蚀刻反应器中：

在所述工件上执行氟碳基蚀刻处理，以蚀刻所述电介质层的露出部分，同时在所述光刻胶掩膜上沉积保护性氟碳聚合物；

将所述工件转移到灰化反应器中，并在所述灰化反应器中：

将所述工件加热超过100℃；

露出所述工件的背侧的外围部分；并且

提供来自氢处理气体的等离子体的产品以在所述工件上还原聚合物合格光刻胶，直到所述聚合物已经从所述工件的背侧去除。

2.根据权利要求1所述的处理，其中，所述氢处理气体包含纯氢。

3.根据权利要求1所述的处理，其中，所述氢处理气体包含氢气体和水蒸气两者。

4.根据权利要求1所述的处理，其中，露出所述晶片的背侧的外围部分的步骤包括在所述灰化反应器的晶片支撑中延伸升降销以提升所述晶片并露出所述晶片的背侧。

5.根据权利要求1所述的处理，其中，露出所述晶片的背侧的外围部分的步骤包括在所述灰化反应器中提供直径小于所述晶片直径的晶片支撑。

6.根据权利要求1所述的处理，其中，执行提供来自氢处理气体的等离子体的产品以还原聚合物的步骤，直到所有聚合物已经从所述工件的背侧去除。

7.根据权利要求1所述的处理，其中，执行提供来自氢处理气体的等离子体的产品以还原聚合物的步骤，直到所有聚合物家和光刻胶已经从所述工件的背侧去除。

8.根据权利要求1所述的处理，还包括通过使氢气体以第一流率和水蒸气以第二流率流入等离子体产生区域中来产生所述等离子体，其中，所述第一流率超过所述第二流率。

9.根据权利要求8所述的处理，其中，所述第一流率是所述第二流率的十倍多。

10.根据权利要求8所述的处理，其中，所述第一流率是所述第二流率的二十倍多。

11.根据权利要求8所述的处理，其中，所述等离子体产生区域包括耦合到所述灰化反应器的远程等离子体源，并且使氢气体和水争取流入等离子体产生区域的步骤包括使它们流入所述远程等离子体源。

12.根据权利要求1所述的处理，其中，还包括：

在将所述工件转移到所述灰化反应器之后，在所述蚀刻反应器中执行等离子体清洁步骤，以从所述蚀刻反应器的内室表面去除聚合物。

13.一种等离子体蚀刻处理，包括：

提供多个工件，每个所述工件具有掺杂碳的氧化硅电介质层；

在每个所述工件的表面上限定光刻胶掩膜；

在多个蚀刻反应器中：

在各个所述蚀刻反应器中在各个所述工件上同时执行氟碳基蚀刻处理，以蚀刻各个所述电介质层的露出部分，同时在各个所述光刻胶掩膜上沉积保护性的氟碳聚合物；

在灰化反应器中，在所述多个工件的相继工件上在不超过在每个蚀刻反应器中执行所述氟碳基蚀刻处理所需的时间窗中执行以下步骤：

将所述工件加热超过100℃；

露出所述工件的背侧的外围部分；并且

提供来自氢处理气体的等离子体的产品以在所述工件上还原聚合物和光刻胶，直到所述聚合物已经从所述工件的背侧去除。

14.根据权利要求13所述的处理，其中，在所述灰化反应器中执行的步骤被执行，同时在所述多个蚀刻反应器中在相继组的多个所述工件上同时重复所述蚀刻处理。

15.根据权利要求13所述的处理，其中，所述氢处理气体含有纯氢。

16.根据权利要求13所述的处理，其中，所述氢处理气体含有氢气体和水蒸气两者。

17.根据权利要求13所述的处理，其中，露出所述晶片的背侧的外围部分的步骤包括在所述灰化反应器的晶片支撑中延伸升降销以提升所述晶片，并露出所述晶片的背侧。

18.根据权利要求13所述的处理，其中，露出所述晶片的背侧的外围部分的步骤包括在所述灰化反应器中提供直径小于所述晶片直径的晶片支撑。