[发明专利]太阳电池及其制造方法

权利要求书

1.一种用于接触金属半导体晶片的方法，

其中所述晶片具有

-在所述晶片一侧上的具有一种导电类型(p-或者n-型)的至少一个薄扩散层，并且整体所述晶片具有另一种导电类型(n-或者p-型)，以及

-在第一(光线接收侧)或者第二(后侧)表面的至少一个上沉积的至少一个表面钝化层/膜，

其特征在于

-通过局部地移除所述至少一个钝化层以暴露出下面的所述半导体晶片的表面从而在所述至少一个钝化层中产生至少一个开口，从而形成接触部位，并且然后

-通过以抗UV光并且能在至少高达大约150到250℃的温度下发挥作用的导电材料填充所述至少一个钝化层中的所述至少一个开口而与所述半导体晶片建立电接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其中通过在形成所述至少一个钝化层之前在所述至少一个接触部位的每一个上形成触点而增强所述至少一个接触部位，

其特征在于，如下形成所述至少一个触点：

-在所述半导体晶片的所述第一表面上的所述至少一个接触部位中的每一个上喷墨印刷包括银粒的薄糊膏，

-在所述半导体晶片的所述第二表面上的所述至少一个接触部位中的每一个上喷墨印刷包括铝粒的薄糊膏，

-在高达1000℃的温度下对所述晶片的所述第一和第二表面上所沉积的糊膏退火以形成金属触点，以及最后

-通过浸入蚀刻溶液中而蚀刻掉所述触点上的过量金属沉积物，所述蚀刻溶液是以下中的一种或多种：H₂O₂和H₂SO₄的混合物；H₂O₂、NH₄OH和H₂O的混合物；或者H₂O₂、HCI和H₂O的混合物。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，包括银粒的所述薄糊膏和/或包括铝粒的所述薄糊膏分别被丝网印刷到所述晶片的所述第一和/或所述第二表面上。

4.根据权利要求1或者2所述的方法，其特征在于，所述半导体晶片的所述第一或者所述第二表面中的至少一个的表面钝化被如下实现

-通过浸入H₂SO₄和H₂O₂的混合物，或者HCl、H₂O₂和H₂O的混合物，或者NH₄OH、H₂O₂和H₂O的混合物中而清洁所述半导体晶片，

-通过浸入稀释的HF而移除将被钝化的所述晶片侧面上的氧化物膜，

-将所述晶片引入等离子体增强化学气相沉积腔室(PECVD腔室)中，

-在大约250℃下通过使用SiH₄作为唯一的前驱气体而沉积1-150nm厚的无定形硅膜，

-在大约250℃下通过使用SiH₄和NH₃的混合物作为前驱气体沉积10-200nm厚的氮化硅膜，以及最后

-在从大约350到大约550℃的温度范围中对具有所沉积的钝化层的所述晶片退火。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于

-所述前驱气体还包括从0到50mol％的氢气。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于

-所述无定形硅膜的厚度为大约10-100nm，

-所述氮化硅膜的厚度为大约70-100nm，以及

-在大约500℃的温度下执行退火四分钟。

7.根据权利要求4或者6所述的方法，其特征在于，所述一个或者多个钝化层的局部化开口被如下实现：

-通过使用蚀刻剂，所述蚀刻剂被喷墨印刷或者被丝网印刷到所述至少一个钝化层的覆盖所述接触部位的区域上，或者

-通过丝网印刷化学抗蚀剂，所述化学抗蚀剂覆盖所述至少一个钝化层的将保留在所述晶片上的区域，随后通过将所述太阳晶片浸入蚀刻剂中以移除未受保护的钝化膜。