[发明专利]具有双层钝化的晶体管及方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

提供具有主表面的衬底；

在衬底的所述主表面上形成半导体层，其中所述半导体层具有外表面；

在所述外表面上形成第一钝化层；

局部蚀刻部分的所述第一钝化层和所述半导体层，以在所述主表面上方形成器件台，其中所述器件台具有仍被所述第一钝化层覆盖的上表面和去除了所述第一钝化层的暴露出的横向边缘；

在所述局部蚀刻之后，至少在所述器件台的上表面上的第一钝化层和所述器件台暴露出的横向边缘的上方形成第二钝化层；

提供穿过所述第一和第二钝化层至所述器件台上的半导体层的上表面的源极-漏极和栅极通孔；以及

在通孔中形成导体以便提供与所述源极-漏极通孔中的半导体的欧姆接触以及与所述栅极通孔中的半导体的肖特基接触。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述的局部蚀刻部分的所述第一钝化层和所述半导体层的步骤还包括同时也形成位于距所述器件台预定距离的一个或多个对准台。

3.如权利要求2所述的方法，还包括在所述的形成第二钝化层的步骤之前，在一个或多个对准台中至少一些上提供光学不透明材料的对准区域。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述的提供源极-漏极和栅极通孔的步骤还包括在打开所述源极-漏极或所述栅极通孔的同时在一个或多个对准台中的至少一个中形成对准图案。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述的形成半导体层的步骤包括形成包括III-V族化合物的层。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述的形成半导体层的步骤包括形成包括GaN的层。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述的提供第一钝化层的步骤包括提供包括硅和氮的层。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述的形成第二钝化层的步骤包括提供包括硅和氮的层。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述的在通孔中形成导体的步骤包括形成包括铝的源极-漏极接触。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述的在通孔中形成导体的步骤包括形成包括Ni或Pt的栅极导体。