[发明专利]像差评估图案、像差评估方法、像差校正方法、电子束描绘设备、电子显微镜、原盘、压模、记录介质和结构有效
申请号: | 200780013594.8 | 申请日: | 2007-12-27 |
公开(公告)号: | CN101421823A | 公开(公告)日: | 2009-04-29 |
发明(设计)人: | 宫田弘幸;宫崎武司;小林一彦;林国人 | 申请(专利权)人: | 株式会社理光;株式会社克莱斯泰克 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G01N1/00;G03F7/20;H01J37/153;H01J37/28;H01J37/305 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 王 冉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 评估 图案 方法 校正 电子束 描绘 设备 电子显微镜 压模 记录 介质 结构 | ||
1.一种用于评估照射系统的像差的像差评估图案,所述照射系统通过偏转电子束而将电子束扫描在样品表面上,所述像差评估图案包括:
具有规定的线宽度以及线之间的规定间隔的周期性结构,所述周期性结构设置于同一平面内且从一中心向外形成,所述中心为当电子束不偏转时所述电子束的照射位置,所述周期性结构形成为绕所述中心的外围延伸360度且具有同心圆图形或者螺旋图形,所述同心圆图形或者螺旋图形的中心置位于为当电子束不偏转时所述电子束的照射位置的所述中心。
2.如权利要求1所述的像差评估图案,其中所述周期性结构是由圆或正多边形形成。
3.如权利要求1或2所述的像差评估图案,其中随着与所述中心的距离增大,所述周期性结构的线宽度和间隔增大。
4.一种基于将电子束扫描在像差评估图案上得到的图像的用于评估照射系统的像差的像差评估方法,所述照射系统照射所述电子束,所述像差评估方法包括:
将所述电子束扫描在如权利要求1至3任意一项所述的像差评估图案上的步骤;
基于通过扫描得到的电子信号而形成图像的步骤;以及
基于所述图像评估所述照射系统的像差的步骤。
5.一种基于将电子束扫描在像差评估图案上得到的图像的用于评估照射系统的像差的像差评估方法,所述照射系统照射所述电子束,所述像差评估方法包括:
将所述照射系统的聚焦位置设置在如权利要求1至3任意一项所述的像差评估图案上的聚焦设置步骤;以及
基于通过沿第一方向和与所述第一方向正交的第二方向将所述电子束扫描在所述像差评估图案上得到的电子信号来评估所述照射系统的像差的评估步骤,其中所述照射系统的聚焦位置设置在所述像差评估图案上。
6.如权利要求5所述的像差评估方法,其中在所述聚焦设置步骤中,基于通过将欠聚焦电子束扫描在所述像差评估图案上得到的电子信号以及通过将过聚焦电子束扫描在所述像差评估图案上得到的电子信号,将所述聚焦位置设置在所述像差评估图案上。
7.如权利要求5或6所述的像差评估方法,其中所述聚焦设置步骤包括:
沿互不相同的第三方向和第四方向将欠聚焦电子束和过聚焦电子束扫描在所述像差评估图案上的第一子步骤;以及
基于沿所述第三方向扫描得到的电子信号的最大值和沿所述第四方向扫描得到的电子信号的最大值,将所述聚焦位置设置在所述像差评估图案上的第二子步骤。
8.如权利要求7所述的像差评估方法,还包括判断步骤,基于沿所述第三方向和第四方向的扫描结果,判断相对于所述第一方向的所述照射系统的像差方向。
9.如权利要求8所述的像差评估方法,其中在所述评估步骤中,基于所述判断步骤中的判断结果决定所述第一方向和第二方向。
10.如权利要求9所述的像差评估方法,其中在所述评估步骤中,所述第一方向和第二方向设置为沿像差发生方向。
11.一种像差校正方法,基于如权利要求4至10任意一项所述的像差评估方法得到的评估结果来校正照射系统的像差。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造