[发明专利]Ⅲ族氮化物晶体的制造方法、Ⅲ族氮化物晶体衬底及Ⅲ族氮化物半导体器件

权利要求书

1.一种III族氮化物晶体的制造方法，包括：

制备包含III族氮化物籽晶的下衬底的步骤，所述III族氮化物籽 晶具有基体和反转域，在所述反转域中，<0001>方向的极性相对于所 述基体而被反转；以及

通过液相法在所述下衬底的所述基体和所述反转域之上生长III 族氮化物晶体的步骤，其特征在于：

第一区域覆盖第二区域，在所述第一区域中，在所述基体之上生 长的III族氮化物晶体的生长速率较大，在所述第二区域中，在所述反 转域之上生长的III族氮化物晶体的生长速率较小，其中，所述第一区 域生长为继承所述基体的极性和低位错密度的晶体，并且所述第二区 域生长为继承所述反转域的极性和高位错密度的晶体。

2.根据权利要求1所述的III族氮化物晶体的制造方法，其特征 在于：

在所述下衬底中，所述反转域的表面相对于所述基体表面是凹陷 的。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的III族氮化物晶体的制造 方法，其特征在于：

沿着所述下衬底上的{0001}面，所述反转域被形成为多个条状区 域，所述条状区域以规则的间隔互相平行地布置。

4.根据权利要求1或权利要求2所述的III族氮化物晶体的制造 方法，其特征在于：

沿着所述下衬底上的{0001}面，所述反转域被形成为多个点状区 域，所述点状区域以规则的间隔二维地布置。

5.根据权利要求1或权利要求2所述的III族氮化物晶体的制造 方法，其特征在于：

沿着所述下衬底上的{0001}面，所述反转域为蜂房形式，其二维 地布置成密堆积正六边形。

6.根据权利要求1或权利要求2所述的III族氮化物晶体的制造 方法，其特征在于：

所述III族氮化物晶体生长为1μm或更大的厚度。

7.根据权利要求1或权利要求2所述的III族氮化物晶体的制造 方法，其特征在于：

所述III族氮化物晶体的表面电阻率为1×10⁵Ω·cm或更大。

8.根据权利要求1或权利要求2所述的III族氮化物晶体的制造 方法，其特征在于：

在氮化物反应容器中生长所述III族氮化物晶体。

9.根据权利要求1或权利要求2所述的III族氮化物晶体的制造 方法，包括通过气相法而使已通过液相法生长到所述下衬底之上的III 族氮化物晶体进一步生长的步骤。