[发明专利]MEMS器件

权利要求书

1.一种在衬底(10)上制作微机电系统(MEMS)装置的方法，该方 法包括以下步骤：

处理所述衬底(10)以便制作电子电路(11)；

沉积可操作地与所述电路(11)耦合的第一电极(15)；

沉积薄膜(16)使其机械耦合至所述第一电极(15)；

施加牺牲层(50)；

沉积结构层(18)以及可操作地与所述电子电路(11)耦合的第二 电极(17)，这样所述牺牲层(50)被放置在所述薄膜(16)和所述结 构层(18)之间从而形成初步结构；

单元化该衬底(10)；以及

去除所述牺牲层(50)从而形成MEMS结构，

其中单元化所述衬底(10)的步骤在去除所述牺牲层(50)的步骤 之前进行。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述制作电子电路的步骤采 用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺来进行。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述牺牲层是聚酰亚胺。

4.根据权利要求3所述的方法，包括用等离子体氧蚀刻过程去除 聚酰亚胺的步骤。

5.根据权利要求4所述的方法，进一步包括使用微波激励等离子 体的步骤。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，包括应用抗蚀剂涂层 到该初步结构的步骤。

7.根据权利要求6所述的方法，包括应用氧气等离子体蚀刻来去 除该抗蚀剂涂层的步骤。

8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括用微波激励等离子体 的步骤。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中所述单元化衬底 的步骤包括用切割锯切割该衬底。

10.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中所述单元化衬 底的步骤包括对所述衬底进行划割并使用机械力劈开所述衬底。

11.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中所述单元化衬 底的步骤包括用激光切割来切割所述衬底。

12.根据权利要求1-11中任一项所述的方法，包括：

将所述衬底连结至载体；以及

在其后，单元化所述衬底。

13.根据权利要求12所述的方法，包括：

使用切割带将所述衬底连结至所述载体。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述去除牺牲层的步骤是 在将所述衬底连结至所述载体之后，并在单元化所述衬底之前进行的。

15.根据权利要求1-11中任一项所述的方法，进一步包括：

在单元化所述衬底之前，施加抗蚀剂涂层；以及

在单元化所述衬底后，在一单独的处理步骤中去除牺牲层和抗蚀剂 涂层。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述去除牺牲层和抗蚀剂 涂层的步骤包括使用干式蚀刻过程。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述去除牺牲层的步骤包 括使用0₂等离子体。

18.根据任一上述权利要求所述的方法，其中所述沉积第一电极的 步骤在所述制作电路的步骤期间进行。

19.根据任一上述权利要求所述的方法，其中所述电子电路包括前 置放大器。

20.根据任一上述权利要求所述的方法，其中所述电子电路包括模 -数转换器。

21.根据权利要求1-18中任一项所述的方法，其中所述电子电路 包括数-模转换器。

22.根据任一上述权利要求所述的方法，其中所述电子电路包括发 射和接收装置。

23.根据任一上述权利要求所述的方法，其中所述电子电路包括电 荷泵。