[发明专利]对栅极泄漏不敏感的电流镜电路

权利要求书

1.一种电路，其包括：

一输入级，其接收输入电流；

一输出级，其提供输出电流；和

一对互补源极跟随器，其连接在所述输入级和所述输出级之间，所述一对互补源极跟随器分别接收第一电流源和第二电流源，并为所述输入级和所述输出级建立偏置电压，所述偏置电压是是独立于所述输入级和所述输出级之间的栅极泄漏的所述输入电流的函数。

2.如权利要求1所述的电路，其中所述一对互补源极跟随器包括：

PMOS或NMOS源极跟随器；和

NMOS或PMOS源极跟随器，其连接到所述PMOS或NMOS源极跟随器，其中所述PMOS或NMOS源极跟随器连接到所述输入级，且其中所述NMOS或PMOS源极跟随器连接到所述输入级和所述输出级。

3.如权利要求2所述的电路，其中所述输入级包括：

第一节点，其连接以接收所述输入电流；和

第一镜晶体管，其具有源电极、栅电极和漏电极，且其中所述第一镜晶体管的所述漏电极连接到所述第一节点。

4.如权利要求3所述的电路，其中所述PMOS或NMOS源极跟随器包括：

第二节点，其连接以接收所述第一电流源；和

PMOS或NMOS晶体管，其具有源电极、栅电极和漏电极，其中所述PMOS或NMOS晶体管的所述源电极连接到所述第二节点，所述栅电极连接到所述第一节点，且所述PMOS晶体管的所述漏电极连接到接地端。

5.如权利要求4所述的电路，其中所述NMOS或PMOS源极跟随器包括：

第三节点；和

NMOS或PMOS晶体管，其具有源电极、栅电极和漏电极，其中所述NMOS或PMOS晶体管的所述源电极连接到所述第二电流源，其中所述NMOS或PMOS晶体管的所述栅电极连接到所述第二节点，其中所述NMOS或PMOS晶体管的所述源极连接到所述第三节点，且其中所述第三节点连接到所述第一镜晶体管的所述栅电极，其中所述第三节点经由所述第二电流源连接到所述接地端，且所述NMOS或PMOS晶体管的所述漏极耦合到电源。

6.如权利要求3或5所述的电路，其中所述输出级包括：

第二镜晶体管，其具有源电极、栅电极和漏电极，其中所述第二镜晶体管的所述漏电极耦合以提供输出电流，其中所述第二镜晶体管的所述栅电极连接到所述第三节点，且其中所述第二镜晶体管的所述源电极连接到所述接地端。

7.如权利要求6所述的电路，其中所述第一镜晶体管和所述第二镜晶体管是NMOS或PMOS晶体管。

8.一种电流镜共射共基偏置电路，其包括：

主偏置级，其中所述主偏置级包括：

接收输入电流的输入级；

提供输出电流的输出级；

一对互补源极跟随器，其连接在所述输入级和所述输出级之间，所述一对互补源极跟随器分别接收第一电流源和第二电流源，并为所述输入级和所述输出级提供作为所述输入电流的函数的栅极泄漏电流；和

复制电路，其连接到所述输出级以便作为所述主偏置级的函数来偏置所述输出级。

9.一种具有共射共基偏置电路的低压电流镜，其包括：

接收输入电流的输入级，其中所述输入级具有第一对镜晶体管；

提供输出电流的输出级，其中所述输出级具有第二对镜晶体管；和

一对互补源极跟随器，其连接在所述输入级和所述输出级之间，所述一对互补源极跟随器分别接收第一电流源和第二电流源，并为所述输入级和所述输出级建立偏置电压，所述偏置电压是独立于所述输入级和所述输出级之间的栅极泄漏的所述输入电流的函数。