[发明专利]电光器件及其制造方法无效
申请号: | 200780014115.4 | 申请日: | 2007-04-10 |
公开(公告)号: | CN101427377A | 公开(公告)日: | 2009-05-06 |
发明(设计)人: | H·利夫卡;E·W·A·扬 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 康正德;刘 红 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电光 器件 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种电光器件,其具有平面衬底和在衬底第一表面上的至少一个电极层与有源层。本发明进一步涉及一种用于制造这种器件的方法以及一种衬底。
背景技术
上述类型的器件已经例如由C.W.Tang和S.A.Van Slyke在Appl.Phys.Lett.51(1987)913-915公开。该器件是用于照明目的的OLED(有机发光二极管),其具有夹在透明阳极和阴极之间的有源有机发光层,所述阳极位于透明衬底之上。当在阳极和阴极之间施加电压时,有机层发出光,穿过正极和衬底。
这种器件的一个问题是,当有源表面变得更大时,就会出现电极表面上的电压下降。这是因为电极层非常薄。对于具有OLED器件的上述情况,这意味着在器件表面上电流密度不会均匀,从而导致光发射也不会均匀。
解决这一问题的一个明显的方法当然是提供较厚的电极层。然而,这也并非总是有用的解决方案。首先,较厚的电极层会降低光发射。对于其中光通过非常薄的金属阴极层的所谓顶发射OLED而言特别是这样,而且对于例如透明ITO(氧化锡铟)阳极层而言也是如此。
其次,使用蒸发技术沉积较厚层意味着要在昂贵的机器上操作更长的周期,因此产品更加昂贵。
发明内容
因此,本发明的目的是提供一种前述类型的有机二极管器件,其中电极层可以较薄并且仍然可以在其表面提供均匀电压。
这个目的通过根据权利要求1的器件得以实现,所述器件可以用权利要求14中所述的方法制造。该目的还可以通过使用权利要求16中定义的衬底来实现。
更特别地,本发明还涉及一种电光器件,其具有平面衬底、以及在所述衬底第一表面上的至少一个电极层和有源层。所述衬底包括多个导线,所述导线被嵌在衬底内并且以一种结构进行设置,从而使得导线蜿蜒通向所述第一衬底表面以及蜿蜒来自所述第一衬底表面,并且在其多个位置上与该表面相接,以及所述至少一个电极层在多个所述位置连接至多条所述导线。
在这种电光器件中,编织结构的导线可用于通过提供旁路连接来平衡在非常薄的电极层的整个表面上的电势。
另外,还可能通过向不同的导线提供不同电压从而向电极层的不同部分或不同的电极层提供不同的电压。
所述导线可以设置为编织结构,该编织结构固有地使导线以合适的方式弯曲,并且所述在编织结构中相互交叉的导线可以相互电绝缘。
编织结构中第一方向上的第一组导线可以连接到第一电极层,而编织结构中第二方向上的第二组导线则可以通过第一个电极层上的孔连接到第二电极层。然后,第一组或第二组导线的至少之一中的导线可以相互连接从而保持相同的电势。
所述第一组或第二组导线的至少之一中的各导线子组可以设置为分别进行控制。
在例如OLED器件中,这允许将不同电压施加于电极层的不同部分。
可以将所述第一或第二电极层的至少之一分割为相互绝缘的子部分,不同子部分可以连接到所述结构中的不同导线。这将允许可以在器件中提供可分别寻址的像素,而如果所述器件为显示器或图像传感器,则这是有用的。
所述衬底还可以是柔性的。
所述器件可以实现为例如OLED器件的照明器件、太阳能电池、OLED显示器、TFT显示器或图像传感器。
本发明还涉及一种用于制造上述类型的电光器件的方法,所述方法包括:
- 在平面的基础衬底部分上,以一种结构来设置多条导线,
- 在基础衬底部分的顶部形成顶衬底层,从而使得所述结构嵌入在由所述基础衬底部分和所述顶衬底部分形成的衬底中,
- 将所述顶衬底层的上部去除,从而使得编织结构的部分导线在衬底表面的多个位置处暴露,以及
- 在衬底上施加至少一个电极层和有源层,使得所述至少一个电极层在多个所述位置上连接到多个所述导线。
进一步地,可以为电光器件获得平面衬底,该衬底包括多条可设置为编织结构的导线。所述导线嵌入在衬底中,并被设置为蜿蜒通向第一衬底表面以及蜿蜒来自第一衬底表面,并且在其多个位置上与这个表面相接。这个衬底也提供了上述优点的可能性。
本发明的这些方面及其它方面将通过参照下面描述的实施例而被说明并变得明显。
附图说明
图1a和1b示出了在衬底中嵌入编织导线结构。图1c和1d示出编织结构如何部分暴露在衬底表面上。
图2示出沿图1d中的直线I-I方向的截面。
图3和图4以与图2中视图相类似的视图示出了不同的可替代实施例。
图5a示出具有施加了阳极层的衬底。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的