[发明专利]用于LED照明应用的、热沉中的电子器件的热隔离

权利要求书

1、一种电子器件，所述电子器件包括衬底、发热电子装置和其它电子装置、用于热绝缘的装置和用于热耗散的装置，其中所述发热电子装置和其它电子装置布置在衬底上，用于热绝缘的装置布置在衬底中以防止热量从发热电子装置沿着第一方向向其它电子装置耗散，其特征在于：用于热耗散的装置布置在衬底中，用于沿着与第一方向不同的第二方向通过衬底来耗散热。

2、根据权利要求1所述的电子器件，其中所述衬底是导热的。

3、根据权利要求1或2所述的电子器件，其中所述衬底制作在硅中。

4、根据前述权利要求中任何一项所述的电子器件，其中所述衬底包括热传导率在100W/K.m至200W/K.m之间、优选地为140W/K.m的材料。

5、根据前述权利要求中任何一项所述的电子器件，其中所述发热电子装置包括发光器件(LED)，优选地，高功率LED。

6、根据前述权利要求中任何一项所述的电子器件，其中所述其它电子装置包括集成电子元件、诸如二极管和/或晶体管之类的有源元件、诸如电阻器、电容器、电感器之类的无源元件、或它们的组合。

7、根据前述权利要求中任何一项所述的电子器件，其中所述其它电子装置与发热电子装置连接，并且设置为控制发热电子装置的特性，诸如LED的光输出颜色和/或光输出通量设置等。

8、根据前述权利要求中任何一项所述的电子器件，其中所述用于热绝缘的装置包括热传导率等于或小于100W/K.m，优选地，等于或小于50W/K.m，优选地，等于或小于10W/K.m，优选地，2W/K.m的材料。

9、根据权利要求8所述的电子器件，其中所述材料是氧化硅。

10、根据前述任何一项权利要求所述的电子器件，其中所述用于热耗散的装置包括热传导率等于或大于200W/K.m，优选地，等于或大于300W/K.m，更优选地，等于或大于400W/K.m的材料。

11、根据权利要求10所述的电子器件，其中所述用于热耗散的装置包括金属材料，优选地，包括铜。

12、根据前述权利要求中任何一项所述的电子器件，其中所述用于热绝缘的装置占据衬底中的沟槽。

13、根据权利要求12所述的电子器件，其中所述沟槽相对于第一方向横向延伸，优选地，穿过衬底至少一半的深度。

14、根据前述权利要求中任何一项所述的电子器件，其中所述用于热耗散的装置包括填充有热耗散材料的衬底通孔。

15、根据前述权利要求中任何一项所述的电子器件，其中所述其它电子器件还包括至少第一齐纳二极管，用于保护发热电子装置防止静电放电(ESD)。

16、根据前述权利要求中任何一项所述的电子器件，其中所述器件是芯片模块，优选地，多芯片模块。

17、一种用于制造电子器件的方法，所述电子器件包括衬底、发热电子装置和其它电子装置、用于热绝缘的装置和用于热耗散的装置，布置为保护其它电子装置免受发热电子装置的影响，所述方法包括以下步骤：

将电子装置与衬底集成，

完成器件的扩散、隔离和连接，以及

在衬底中通过光刻技术形成窗口图案。

18、根据权利要求17所述的方法，其中所述方法还包括以下步骤：

在窗口中刻蚀沟槽，

氧化衬底，

在沟槽中沉积导热性大于衬底的材料，

在实质上与第一表面相反的衬底表面上沉积电介质，并在所述电介质中形成窗口图案，

在窗口中，从第二表面向第一表面干法刻蚀第二沟槽；

在第二沟槽中沉积氧化物；

在第二沟槽中沉积籽晶层；

在第二沟槽中生长电镀铜；以及

在衬底的第二表面上焊接管芯。