[发明专利]含有带甲硅烷基乙炔基基团的并苯-噻吩共聚物的电子器件

权利要求书

1.一种电子器件，包含：

a)共聚物层，所述共聚物层包含化学式I的并苯-噻吩共聚物，

其中

Ac为具有2至5个稠合苯环的并苯基，其中Ac可以任选由选自 烷基、烷氧基、硫代烷基、芳基、芳烷基、卤素、卤代烷基、羟烷基、 杂烷基、链烯基或它们的组合的取代基取代；

R^a各自独立地选自氢、烷基、烷氧基、链烯基、芳基、杂芳基、 芳烷基、杂芳烷基、杂烷基或羟烷基；

Q是化学式II、III、IV或V的二价基团；

R1和R2各自独立地选自氢、烷基、烷氧基、硫代烷基、芳基、 芳烷基、卤素、卤代烷基、羟烷基、杂烷基或链烯基；以及

n为大于或等于4的整数；和

b)相邻于所述共聚物层的第一层，所述第一层包括导电层或介电 层。

2.根据权利要求1所述的电子器件，其中Ac选自萘、蒽、并四 苯或并五苯。

3.根据权利要求1所述的电子器件，其中各E等于化学式-C≡ C-Si(R^a)₃的甲硅烷基乙炔基基团的化学式-Ac(E)₂-的二价基团选自： 1，4-二(甲硅烷基乙炔基)萘-2，6-二基、1，4-二(甲硅烷基乙炔基)萘-2，7-二 基、9，10-二(甲硅烷基乙炔基)蒽-2，6-二基、9，10-二(甲硅烷基乙炔基)蒽 -2，7-二基、2，6-二(甲硅烷基乙炔基)蒽-9，10-二基、2，7-二(甲硅烷基乙炔 基)蒽-9，10-二基、6，13-二(甲硅烷基乙炔基)并五苯-2，9-二基、6，13-二(甲 硅烷基乙炔基)并五苯-2，10-二基、2，9-二(甲硅烷基乙炔基)并五苯-6，13- 二基或2，10-二(甲硅烷基乙炔基)并五苯-6，13-二基。

4.根据权利要求3所述的电子器件，其中化学式-Ac(E)₂-的二价基 团选自：1，4-二(甲硅烷基乙炔基)萘-2，6-二基、9，10-二(甲硅烷基乙炔基) 蒽-2，6-二基或6，13-二(甲硅烷基乙炔基)并五苯-2，9-二基。

5.根据权利要求1所述的电子器件，其中化学式I的共聚物存在 于半导体层中。

6.根据权利要求5所述的电子器件，其中所述电子器件包括有机 薄膜晶体管。

7.根据权利要求1所述的电子器件，其中化学式I的共聚物存在 于第一电极和第二电极之间的层中。

8.根据权利要求7的电子器件，其中所述电子器件是光伏电池。

9.根据权利要求7所述的电子器件，其中所述电子器件包括有机 电致发光器件，并且化学式I的共聚物存在于所述有机电致发光器件内 的空穴传输层中。

10.根据权利要求7所述的电子器件，其中所述电子器件包括有 机电致发光器件，并且化学式I的共聚物存在于所述有机电致发光器件 内的发光层中。

11.一种制备电子器件的方法，所述方法包括提供含有化学式I 的并苯-噻吩共聚物的共聚物层，

其中

Ac为具有2至5个稠合苯环的并苯基，其中Ac可以任选由选自 烷基、烷氧基、硫代烷基、芳基、芳烷基、卤素、卤代烷基、羟烷基、 杂烷基、链烯基或它们的组合的取代基取代；

R^a各自独立地选自氢、烷基、烷氧基、链烯基、芳基、杂芳基、 芳烷基、杂芳烷基、杂烷基或羟烷基；

Q是化学式II、III、IV或V的二价基团；

R1和R2各自独立地选自氢、烷基、烷氧基、硫代烷基、芳基、 芳烷基、卤素、卤代烷基、羟烷基、杂烷基或链烯基；以及

n为大于或等于4的整数；和

提供相邻于所述共聚物层的第一层，所述第一层包括导电层或介 电层。