[发明专利]信息记录介质及其制作方法有效
申请号: | 200780014450.4 | 申请日: | 2007-04-23 |
公开(公告)号: | CN101426658A | 公开(公告)日: | 2009-05-06 |
发明(设计)人: | 土生田晴比古;山田升;富山盛央 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | B41M5/26 | 分类号: | B41M5/26;G11B7/24 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 信息 记录 介质 及其 制作方法 | ||
1.一种信息记录介质,具备:基板、含有记录层的信息层和光透明层,通过激光照射进行信息的记录及再生,
所述记录层以包含Te、O及M组成的材料为主要成分,
所述材料中Te原子的含量比例为1~19原子%,O原子的含量比例为40~70原子%,M原子的含量比例超过35原子%,在59原子%以下,
其中,M表示从Ru、Rh、Pd、Ag、Re、Os、Ir、Pt及Au中选出的至少1种元素。
2.根据权利要求1所述的信息记录介质,其特征在于,
所述信息层还包含与所述记录层相邻配置的电介质层。
3.根据权利要求1所述的信息记录介质,其特征在于,
所述信息层还包含相对于所述记录层在与激光入射侧的相反侧配置的反射层。
4.根据权利要求1所述的信息记录介质,其特征在于,
所述记录层的膜厚为3nm~200nm。
5.一种信息记录介质,
具备:基板、在所述基板上以第1信息层~第n信息层的顺序隔着分离层而相互层叠的所述第1信息层~第n信息层和光透明层,
从所述第1信息层~所述第n信息层选择的至少1个信息层包含记录层;
所述记录层以包含Te、O及M组成的材料为主要成分,
所述材料中Te原子的含量比例为1~19原子%,O原子的含量比例为40~70原子%,M原子的含量比例超过35原子%,在59原子%以下,
其中,n为2以上的整数,M表示从Ru、Rh、Pd、Ag、Re、Os、Ir、Pt及Au中选出的至少1种元素。
6.一种信息记录介质的制造方法,制造权利要求1所述的信息记录介质,
包含形成所述信息层的工序,
在所述工序中,通过气相薄膜堆积法形成所述记录层。
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