[发明专利]磁传感器装置的校准

权利要求书

1、一种用于检测研究区中的磁性颗粒(2)的磁传感器装置(10)，包括：

a)至少一个用于在所述研究区中产生磁性激励场(B₁)的磁性激励场发生器(11，13)；

b)至少一个用于在所述研究区中产生磁性校准场(B₃)的磁性校准场发生器(15)，所述磁性校准场(B₃)至少临时具有足够大的强度以改变所述研究区中的磁性颗粒(2)的磁化特性；

c)至少一个磁传感器元件(12)，用于对由所述研究区中的磁性颗粒(2)响应于所述磁性激励场(B₁)和/或所述磁性校准场(B₃)而产生的磁性反应场(B₂)进行测量；

d)评估单元(16)，用于基于测量来校准所述磁传感器元件(12)，在所述测量期间，所述研究区中存在磁性激励场(B₁)和/或磁性校准场(B₃)和磁性颗粒(2)。

2、一种用于检测研究区中的磁性颗粒(2)的方法，包括：

a)利用至少一个磁性激励场发生器(11，13)在所述研究区中产生磁性激励场(B₁)；

b)利用至少一个磁性校准场发生器(15)在所述研究区中产生磁性校准场(B₃)，其中所述场至少临时具有足够大的强度以改变所述研究区中的磁性颗粒(2)的磁化特性；

c)利用至少一个磁传感器元件(12)来测量磁性反应场(B₂)，其中所述研究区中的磁性颗粒(2)响应于所述磁性激励场(B₁)和/或所述磁性校准场(B₃)而产生所述场；

d)基于测量来校准所述磁传感器元件(12)，在所述测量期间，所述研究区中存在磁性激励场(B₁)和/或磁性校准场(B₃)和磁性颗粒(2)。

3、根据权利要求1所述的磁传感器装置(10)或根据权利要求2所述的方法，

其特征在于：基于所述磁性校准场(B₃)消失时产生的测量结果来确定所述研究区中的磁性颗粒(2)的数量。

4、根据权利要求1所述的磁传感器装置(10)或根据权利要求2所述的方法，

其特征在于：所述磁性校准场(B₃)重复性地消失。

5、根据权利要求1所述的磁传感器装置(10)或根据权利要求2所述的方法，

其特征在于：所述磁性校准场(B₃)至少临时使所述磁性颗粒(2)饱和。

6、根据权利要求1所述的磁传感器装置(10)或根据权利要求2所述的方法，

其特征在于：所述磁性激励场(B₁)具有的激励频率f₁>0。

7、根据权利要求1所述的磁传感器装置(10)或根据权利要求2所述的方法，

其特征在于：所述磁性校准场(B₃)具有的校准频率f₃>0。

8、根据权利要求7和8所述的磁传感器装置(10)或方法，

其特征在于：所述激励频率f₁的值至少大致与所述校准频率f₃的值相同。

9、根据权利要求1所述的磁传感器装置(10)或根据权利要求2所述的方法，

其特征在于：利用感测频率f₂>0来驱动所述磁传感器元件(12)。

10、根据权利要求1所述的磁传感器装置(10)或根据权利要求2所述的方法，

其特征在于：将所述磁传感器元件(12)中的所述磁性校准场(B₃)调节成在所述元件的灵敏方向上基本为零。

11、根据权利要求1所述的磁传感器装置(10)或根据权利要求2所述的方法，

其特征在于：对由所述磁传感器元件(12)中的所述磁性校准场(B₃)引起的测量信号分量进行确定。