[发明专利]从金属间纳米薄片颗粒的半导体前体层的高生产量印刷

权利要求书

1.一种形成吸收层的方法，其包含：

配制颗粒的分散体，其中50重量％或更多的颗粒是各自含有至少 一种来自IB、IIIA和/或VIA族的元素而且具有非球形的平面形状的 薄片，其中所述分散体中包含的来自IB、IIIA和/或VIA族的元素的 总量使得该分散体具有期望的元素化学计量比；

用该分散体涂覆衬底以形成前体层；和

在合适气氛中处理该前体层以形成致密膜，所述合适气氛选自氢 气氛、氮气氛、一氧化碳气氛、硒气氛、硫气氛、碲气氛、氩气氛、 H₂S气氛、H₂Se气氛以及它们的组合；并且所述致密膜具有30％或更小 的空隙体积；

其中该分散体中的至少一组颗粒是含有至少一种IB-IIIA族金属 间合金相的金属间薄片颗粒。

2.权利要求1的方法，其中分散体中的至少一组颗粒是纳米小球 形式。

3.权利要求1的方法，其中分散体中的至少一组颗粒是纳米小球 形式而且含有至少一种IIIA族元素。

4.权利要求1的方法，其中分散体中的至少一组颗粒是包含单质 形式的IIIA族元素的纳米小球形式。

5.权利要求1的方法，其中金属间合金相不是端际固溶体相。

6.权利要求1的方法，其中金属间合金相不是固溶体相。

7.权利要求1的方法，其中金属间薄片颗粒贡献少于50mol％的 在所有颗粒中存在的IB族元素。

8.权利要求1的方法，其中金属间薄片颗粒贡献少于50mol％的 在所有颗粒中存在的IIIA族元素。

9.权利要求1的方法，其中金属间薄片颗粒在沉积于衬底上的分 散体中贡献少于50mol％的IB族元素和少于50mol％的IIIA族元素。

10.权利要求1的方法，其中金属间薄片颗粒在沉积于衬底上的 分散体中贡献少于50mol％的IB族元素和多于50mol％的IIIA族元素。

11..权利要求1的方法，其中金属间薄片颗粒在沉积于衬底上的 分散体中贡献多于50mol％的IB族元素和少于50mol％的IIIA族元素。

12.权利要求9的方法，其中摩尔百分比基于所述分散体中存在 的所有颗粒中的元素的总摩尔量。

13.权利要求1的方法，其中至少一些颗粒具有片晶状。

14.权利要求1的方法，其中大部分颗粒具有片晶状。

15.权利要求1的方法，其中所有的颗粒具有片晶状。

16.权利要求1的方法，其中分散体包含乳液。

17.权利要求1的方法，其中金属间合金相是二元材料。

18.权利要求1的方法，其中金属间合金相是三元材料。

19.权利要求1的方法，其中金属间合金相包含Cu₁In₂。

20.权利要求1的方法，其中金属间合金相包含Cu₁In₂的δ相的 组成。

21.权利要求1的方法，其中金属间合金相包含Cu₁In₂的δ相与 Cu₁₆In₉限定的相之间的组成。

22.权利要求1的方法，其中金属间合金相包含Cu₁Ga₂。

23.权利要求1的方法，其中金属间合金相包含Cu₁Ga₂的中间固 溶体。

24.权利要求1的方法，其中金属间合金相包含Cu₆₈Ga₃₈。