[发明专利]倒装晶片流量传感器

权利要求书

1.一种能够防止流体与易发生反应的传感器材料接触的系统，包括：

具有衬底顶侧和衬底底侧的衬底；

在衬底顶侧上的加热元件；

在衬底顶侧上的上游温度传感器，其中，所述上游温度传感器被设置在所 述加热元件的上游并且被设置成感测在所述流体到达所述加热元件之前的即时 流体温度；

在衬底顶侧上的下游温度传感器，其中，所述下游温度传感器被设置在所 述加热元件的下游并且被设置成感测在所述流体流过所述加热元件之后的即时 流体温度；

该流体流经在上游温度传感器、下游温度传感器和加热器的下面的衬底底 侧中形成的通道，以使得流体能够在流动方向流过所述通道，所述通道的第一 端限定通道入口，并且所述通道的第二端限定通道出口，其中所述流体在所述 入口处进入所述通道，经过所述上游温度传感器，随后经过所述加热器，再随 后经过所述下游温度传感器，最后流出所述出口，且其中气体和液体是流体；

所述衬底具有形成通道的顶侧和支持所述通道上的所述上游温度传感器、 下游温度传感器和加热器的隔膜；和

在所述隔膜和所述衬底之间的将隔膜与所述衬底热隔离的热屏障。

2.如权利要求1所述的系统，进一步包括在衬底顶侧上、上游温度传感器 的上游和所述通道入口上方的入口温度传感器。

3.如权利要求1所述的系统，进一步包括衬底温度传感器，其被定位成远 离通道并且位于衬底顶侧上。

4.如权利要求1所述的系统，其中所述衬底包括硅。

5.如权利要求1所述的系统，其中所述衬底包括玻璃。

6.如权利要求1所述的系统，其中所述衬底包括石英。

7.如权利要求1所述的系统，其中所述衬底是绝缘体上硅(SOI)衬底， 其包括在处理机晶片上的绝缘体层上方的硅层，以及其中所述隔膜在所述通道 上方并在所述衬底顶侧下面，该隔膜包括硅层且不包括绝缘体层。

8.一种能够防止流体与易发生反应的传感器材料接触的系统，包括：

具有衬底顶侧和衬底底侧的衬底，其中所述衬底是包括在处理机晶片上的 绝缘体层上面的硅层的绝缘体上硅(SOI)衬底；

在衬底底侧中蚀刻的通道，该通道使得沿流动方向流动的流体能够从入口 到出口流过该通道，其中所述流体在入口处进入通道，经过上游温度传感器， 随后经过加热元件，再随后经过下游温度传感器，最后流出所述出口，其中气 体和液体是流体；

在该通道和所述衬底顶侧之间的衬底材料的隔膜，上游温度传感器位于隔 膜上方的衬底顶侧之上且下游温度传感器位于衬底顶侧上并在隔膜上方，其中 下游温度传感器沿着流动方向比上游温度传感器更远；

位于隔膜顶侧上的所述加热元件，其被定位在上游温度传感器和下游温度 传感器之间，以使所述上游温度传感器测量在流体到达所述加热元件之前的即 时第一温度以及所述下游温度传感器测量在流体流经所述加热元件之后的即时 第二温度；和

在所述隔膜和所述衬底之间的将所述隔膜与所述衬底热隔离的热屏障。

9.如权利要求8所述的系统，进一步包括在衬底顶侧上的入口上的入口温 度传感器，其中流体在该入口处进入该通道。

10.如权利要求8所述的系统，进一步包括衬底温度传感器，其被定位成 远离通道并位于衬底顶侧之上。

11.如权利要求8所述的系统，其中所述衬底包括硅。

12.如权利要求8所述的系统，其中所述衬底包括玻璃。

13.如权利要求8所述的系统，其中所述衬底包括石英。

14.如权利要求8所述的系统，进一步包括

在衬底顶侧上的入口之上的入口温度传感器；和

衬底温度传感器，其被定位成远离通道并位于衬底顶侧之上，其中所述衬 底包括硅，并且其中流体在该入口处进入该通道。