[发明专利]六氟-1,3-丁二烯的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及六氟-1，3-丁二烯的制造方法。更详细地说，本发明涉及作 为半导体用蚀刻气体等有用的六氟-1，3-丁二烯的制造方法。

背景技术

六氟-1，3-丁二烯(在本说明书中也称为“C4F6”或“HFBD”)例如作 为半导体用的精细蚀刻气体受到关注。

作为六氟-1，3-丁二烯的制造方法，人们历来知道如下的方法。

(1)根据专利文献1，在约-60～200℃下，使全氟烷基卤化物与格氏试 剂反应，从而制造出全氟化烯烃类。

(2)根据专利文献2，在烃类非质子系溶剂，或者醚、环状醚类等非质 子系极性溶剂中，在-80～150℃下，用Mg、Zn、Cd、或Li的有机金属化 合物将ICF₂CF₂CF₂CF₂I进行脱氟碘化，从而制造出六氟-1，3-丁二烯。

(3)根据专利文献3，在烃类中性溶剂，或醚、环状醚、或它们的混合 物类等中性溶剂中，在-80～150℃下，用Mg或Li的有机金属化合物将 BrCF₂CF₂CF₂CF₂I或BrCF₂CF₂CF₂CF₂Br进行脱氟碘化，从而制造出六 氟-1，3-丁二烯。

(4)根据专利文献4，在金属锌，以及选自N，N-二甲基甲酰胺和N-甲基 -2-吡咯烷酮中至少1种的含氮化合物存在下，将ICF₂CF₂CF₂CF₂I脱IF， 从而制造六氟-1，3-丁二烯。

(5)根据专利文献5，在有机溶剂中，使选自Mg、Zn、Cd、Al、Cu、 Na和Li中的至少1种金属，与RX(x＝Cl、Br、I)和/或I₂共存，以 ICF₂CF₂CF₂CF₂I或BrCF₂CF₂CF₂CF₂Br为原料制造出六氟-1，3-丁二烯。

这里，以相对于上述α，ω-二卤代全氟烷烃为0.05～0.5当量的量添加RX。

(6)根据专利文献6，在有机溶剂中，将XCF₂CFXCFYCF₂X(X＝Cl、 Br、I，Y＝Cl、Br、I、F)，与选自Mg、Zn、Cd、Al、Cu、Na和Li中 的至少1种金属和卤代烷RX(X＝Cl、Br、I)共同加热或沸腾回流，从而制 造六氟-1，3-丁二烯。这里，以相对于上述四卤代全氟丁烷为0.05～0.5当量 的量添加作为催化剂的RX。

专利文献1：特公昭49-39648号公报

专利文献2：特开昭62-26340号公报

专利文献3：日本专利第2589108号公报

专利文献4：特开2001-192345号公报

专利文献5：特开2001-192346号公报

专利文献6：特开2001-192347号公报

发明内容

但是，上述方法有如下问题。在(1)～(5)的方法中，工业上使用有机金 属化合物时，在制造该有机金属化合物的情况下伴随危险。例如格氏试剂 在合成时伴随危险。另外，原料卤素是碘、溴等，因为它们昂贵所以在工 业化上存在问题。进而，(6)的方法因为有必要添加例如溴化合物作为催化 剂，所以在工业化上存在问题。

鉴于如上所述的背景技术，本发明的目的是，提供可以作为半导体用 途的微细加工用蚀刻气体使用的HFBD的安全、廉价、且经济的工业制造 方法。