[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法

权利要求书

1.半导体器件，其包含

第一树脂基板，其上装有第一半导体芯片；

第二树脂基板，其上装有第二半导体芯片；和

树脂隔板，其与所述第一树脂基板的正面和所述第二树脂基板的背面接触，使第一树脂基板的所述正面与所述第二树脂基板电连接，

其中所述树脂隔板安置在所述第一树脂基板表面上的所述第一半导体芯片周围，

其中所述第一半导体芯片安置在所述第一树脂基板表面上，位于所述第一树脂基板、所述第二树脂基板和所述树脂隔板之间的空间，

其中所述第一树脂基板包括堆积层，所述堆积层由交替堆叠的含有树脂的绝缘层和导体互连层形成，各所述导体互连层经由在所述绝缘层的通孔中形成的导体层电互连，

其中所述第二树脂基板包括堆积层，所述堆积层由交替堆叠的含有树脂的绝缘层和导体互连层形成，各所述导体互连层经由在所述绝缘层的通孔中形成的导体层电互连，且

其中，第一树脂基板和第二树脂基板的堆积层的绝缘层中，其在25℃至其玻璃化转变点的温度范围内，沿基板面内方向的平均热膨胀系数等于或低于30ppm/℃，且25℃至其玻璃化转变点的温度范围内，沿基板厚度方向的平均热膨胀系数等于或低于30ppm/℃。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述堆积层的绝缘层中的至少一层含有氰酸酯树脂。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中所述氰酸酯树脂是线性酚醛型氰酸酯树脂。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一树脂基板和所述第二树脂基板中至少之一包括芯层，其中在该芯层中的绝缘层内部形成带有导体层的通孔，且通孔中的所述导体层与所述堆积层的导体互连层连接，且

其中25℃至其玻璃化转变点的温度范围内，所述芯层的所述绝缘层沿基板面内方向的平均热膨胀系数等于或低于12ppm/℃，且25℃至其玻璃化转变点的温度范围内，所述芯层的所述绝缘层沿基板厚度方向的平均热膨胀系数等于或低于20ppm/℃。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中所述芯层的所述绝缘层的树脂含有氰酸酯树脂。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其中所述氰酸酯树脂是线性酚醛型氰酸酯树脂.

7.如权利要求4所述的半导体器件，其中在所述芯层上下两侧安置一对所述堆积层，且位于所述芯层两侧的基本对称位置的所述堆积层的绝缘层的热膨胀系数相等。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述树脂隔板包括具有绝缘层的芯层，在该芯层中的绝缘层中的通孔内提供导体层，在芯层的绝缘层中，25℃至其玻璃化转变点的温度范围内，沿面内方向的平均热膨胀系数等于或低于12ppm/℃，且25℃至其玻璃化转变点的温度范围内，沿厚度方向的平均热膨胀系数等于或低于20ppm/℃。

9.如权利要求8所述的半导体器件，

其中所述树脂隔板包括堆积层，所述堆积层形成于所述芯层上，并由交替堆叠的含有树脂的绝缘层和导体互连层构成，各所述导体互连层经由形成于所述绝缘层的通孔中的导体层电互连，且

其中，所述树脂隔板的所述堆积层中的绝缘层中，其在25℃至其玻璃化转变点的温度范围内，沿基板面内方向的平均热膨胀系数等于或低于30ppm/℃，且25℃至其玻璃化转变点的温度范围内，沿基板厚度方向的平均热膨胀系数等于或低于30ppm/℃。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其中所述树脂隔板的所述芯层中的绝缘层树脂和所述树脂隔板的所述堆积层中的绝缘层树脂分别包括氰酸酯树脂。

11.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一树脂基板具有基本矩形的平面形状，并沿所述第一树脂基板的所述矩形的各条边提供所述树脂隔板。

12.如权利要求1所述的半导体器件，其中

所述第一树脂基板经由凸块与第一半导体芯片连接，且所述第二树脂基板经由凸块与第二半导体芯片连接，且

其中，各凸块边缘填充底部填充胶，所述底部填充胶由树脂材料构成，所述树脂材料在大气中125℃下的弹性模量为150MPa或更高且800MPa或更低。

13.如权利要求8所述的半导体器件，

其中所述第一树脂基板和第二树脂基板的所述堆积层中的绝缘层和所述树脂隔板的芯层中的绝缘层分别含有氰酸酯树脂。